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机译:深亚微米CMOS工艺中布局参数对CMOS器件ESD鲁棒性的依赖性分析
CMOS integrated circuits; MOSFET; VLSI; band structure; electrostatic discharge; integrated circuit layout; integrated circuit manufacture; protection; CMOS manufacturing process; EMMI observation; ESD robustness; NMOS devices; PMOS devices; channel length; channel wi;
机译:新的镇流器布局方案可提高全硅化CMOS工艺中I / O缓冲器的ESD鲁棒性
机译:采用28nm高
机译:一种采用0.25- <式Formulatypetype =“ inline”>
机译:布局参数对0.25-keym硅化CMOS工艺中CMOS器件的CDE(电缆放电事件)鲁棒性的依赖性
机译:深亚微米绝缘体上CMOS器件和电路的物理建模和分析。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护