机译:基于0.35-μmBiCMOS技术的集成RF变容二极管的选择和建模
BiCMOS integrated circuits; Q-factor; buried layers; capacitance; integrated circuit modelling; varactors; 0.35 micron; 2 GHz; BiCMOS process; RF voltage controlled oscillators; inductor; integrated MOS capacitor varactors; integrated RF varactors; integrated isolate;
机译:0.35-μmBiCMOS技术上集成射频变容二极管的选择和建模
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:VLC采用800μm直径APD接收器,集成在标准的0.35-μmbicmos技术中
机译:在0.35 / spl mu / m BiCMOS技术上优化集成射频变容二极管
机译:比例BiCMOS集成电路的建模和技术CAD。
机译:仿真建模以评估综合医疗保健系统的性能:文献综述以指导模型选择的特征和视觉辅助
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机译:基于性能的技术选择过滤器描述报告。 INEL埋地废物综合示范系统分析项目