机译:电子在整个(Al / sub x / Ga / sub 1-x /)/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P势垒中的传输由60-310 K之间测得的n-i-n二极管的I-V特性确定
机译:电子在整个(AlxGa1-x)0.5In0.5P势垒中的传输由60-310 K之间测得的n-i-n二极管的I-V特性确定
机译:锑掺杂对铟/ Sb_xW_(1-x)Se_2(X = 0,0.1,0.5)合金肖特基二极管的I-V,C-V-f和(G / w)-V-f特性的影响
机译:基于(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P /(Al_yGa_(1-y))_(0.5)In_(0.5)P多量子阱的发光二极管中的重组电流
机译:体和多量子势垒Al_xGa_(1-x)InP / GaInP n-i-n二极管中的电子传输
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:通过3D电子扩散散射确定Na0.5Bi0.5TiO3-压电陶瓷中的局部无序
机译:有限尺寸效应和无序对电子相的影响 pr_(0.5)Ca_(0.5)mn_(1-x)al_(x)O_(3)的分离
机译:平面原生氧化物埋层 - 台面al(x)Ga(1-x)as-In(0.5)(al(y)Ga(1-y))0.5p-In(0.5)(al(z)Ga(1) -z))0.5p可见光谱激光二极管