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GROWTH OF ALXGA1-XAS, AL0.5IN0.5P, AND ALXGA(0.5-X)IN0.5P BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY USING AN EXTERNAL ALCL3 GENERATOR

机译:Al x ga 1-x AS,Al 0.5 0.5 p,和Al x使用外部ALCL 3 发电机,通过氢化物气相外延氢化物液相外延,(0.5-x )中的(0.5-x

摘要

Disclosed herein is the controlled epitaxy of AlxGa1-xAs, AlxIn1-xP, and AlxGayIn1-x-yP by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) through use of an external AlCl3 generator.
机译:本文公开了Al x Ga 1-x / sub>中的控制外延,Al x 1-x p中和通过使用外部ALCL 3,和Al x Ga y y 1-x / sub> p中的 y 发电机。

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