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GROWTH OF ALXGA1-XAS, AL0.5IN0.5P, AND ALXGA(0.5-X)IN0.5P BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY USING AN EXTERNAL ALCL3 GENERATOR
GROWTH OF ALXGA1-XAS, AL0.5IN0.5P, AND ALXGA(0.5-X)IN0.5P BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY USING AN EXTERNAL ALCL3 GENERATOR
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机译:Al x sub> ga 1-x sub> AS,Al 0.5 sub>在 0.5 sub> p,和Al x使用外部ALCL 3 Sub>发电机,通过氢化物气相外延氢化物液相外延, sub>(0.5-x sub>)中的(0.5-x sub>)
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Disclosed herein is the controlled epitaxy of AlxGa1-xAs, AlxIn1-xP, and AlxGayIn1-x-yP by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) through use of an external AlCl3 generator.
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机译:本文公开了Al x sub> Ga 1-x / sub>中的控制外延,Al x sub>在 1-x sub> p中和通过使用外部ALCL 3,和Al x sub> Ga y y sub>在 1-x / sub> p中的 y sub> sub>发电机。
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