Department of Electrical Electronic Engineering, University College Cork, Cork, Irel;
AlGaInP; multiquantum barriers; thermionic emission; n-i-n diodes; fowler-nordheim tunneling; poole-frenkel emission;
机译:电子在整个(Al / sub x / Ga / sub 1-x /)/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P势垒中的传输由60-310 K之间测得的n-i-n二极管的I-V特性确定
机译:垂直于体和多量子Al_xGa_(1-x)InP势垒的热电子发射
机译:GaAs / Al_xGa _((1-x))As和Ga_xIn _((1-x))As / InP系统异质结尺寸减小导致电子传输的比较研究
机译:高温稳定的N-I-N谐振隧道隧道二极管嵌入了GaAs / Al_xga_(1-x)中的INAS量子点作为双屏障
机译:GaAs /(Ga,Al)As多量子阱和块状GaAs中的热电子光电导率
机译:单电子INP / GAINP的磁光光致发光光谱中的分数充电状态
机译:光束诱导的INP / GAIPP隧道二极管偏置的三维成像