机译:在具有氟化物缓冲层的硅基板上生长的PbTe和PbS单晶膜
机译:使用氟化物缓冲液在邻近Si(1 1 1)和Si(1 0 0)上生长(1 1 1)取向的PbTe薄膜
机译:LasrMnO_3缓冲层的不锈钢基底上PbSrTiO_3膜的电学性质
机译:通过高质量的碳化硅缓冲层在硅衬底上异质外延生长光滑连续的金刚石薄膜
机译:纳米结构PBTE薄膜在多孔硅衬底上电化学沉积
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:通过薄中间缓冲层在硅上沉积的优先取向BaTiO3薄膜
机译:纳米结构多孔硅作为pbTe薄膜电化学生长基底的形貌和应力研究