Coupled drift-diffusion/quantum transmitting boundary method simulations of thin oxide devices with specific application to a silicon based tunnel switch diode

Daniel E.S.; Cartoixa X.

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【24h】

Coupled drift-diffusion/quantum transmitting boundary method simulations of thin oxide devices with specific application to a silicon based tunnel switch diode

机译：薄氧化物器件的漂移-扩散/量子传输边界耦合方法模拟，特别应用于基于硅的隧道开关二极管

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We present a method of coupling drift-diffusion simulations with quantum transmitting boundary method (QTBM) tunnel current calculations. This allows self-consistent simulation of thin oxide devices in which large tunnel currents can flow. Simulated results are presented for a thin oxide Al/SiO/sub 2//Si structure and an Al/SiO/sub 2/-Si/p-Si tunnel switching diode. We demonstrate the careful use of the recombination lifetime as an adjustable or relaxable parameter in order to obtain converging solutions.

机译：我们提出了一种将漂移扩散模拟与量子传输边界方法（QTBM）隧道电流计算耦合的方法。这允许对其中可以流过大隧道电流的薄氧化物器件进行自洽的仿真。给出了薄氧化物Al / SiO / sub 2 // Si结构和Al / SiO / sub 2 // n-Si / p-Si隧道开关二极管的模拟结果。我们展示了重组寿命作为可调整或可松弛参数的谨慎使用，以获得收敛解。

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices》 |2000年第5期|P.1052-1060|共9页
作者
Daniel E.S.; Cartoixa X.;
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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