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机译:GaN HEMT电容(包括寄生元件)的分析模型
Capacitance model; parasitic capacitance; sheet charge; surface potential; terminal charge; trap;
机译:微波Al {sub} mGa {sub}(1-m)N / GaN HEMTs的传导特性的解析模型,包括非线性宏观极化和寄生MESFET传导
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:AlGaN / GaN HEMT的大信号紧凑模型的分析栅极电容模型
机译:利用包含寄生贡献的紧凑型模型分析功率应用的GaN-HEMTs开关特性
机译:使用基于AlGaN / GaN的HEMT器件的人MIG分析和实验生物传感器。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:场板结构GaN HEMT的基于物理的分析建模和优化,用于高频开关变换器
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术