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International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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1.
Gate sensed method of load current imbalance measuring for paralleling IGBT devices
机译:
并联IGBT器件的门感测负载电流不平衡测量方法
作者:
Xiao Zeng
;
Zehong Li
;
Fashun Yang
;
Qian Chen
;
Min Ren
;
Jinping Zhang
;
Wei Gao
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
Analytical models;
Current measurement;
Numerical models;
Data models;
2.
On the ESD self-protection capability of integrated UHV resistor
机译:
集成特高压电阻的ESD自保护功能
作者:
Hyunchul Nah
;
Joo-Hyung Kim
;
Chang-Eun Lee
;
Tae-Young Joung
;
Lury Lee
;
Sang-Gi Lee
;
Yoon-Jong Lee
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Resistors;
Capacitance;
Resistance;
Equivalent circuits;
Failure analysis;
Delays;
3.
A new compact, low on resistance and high off isolation high voltage analog switch IC without using high voltage power supplies for ultrasound imaging system
机译:
新型紧凑,低导通电阻和高关断隔离的高压模拟开关IC,无需为超声成像系统使用高压电源
作者:
Fumiaki Yamashita
;
Junichi Aizawa
;
Hironobu Honda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Integrated circuits;
Switching circuits;
Switches;
Power supplies;
MOSFET;
Transducers;
Logic gates;
4.
0.13 μm modular BCD technology enable to embedding high density E2PROM, RF and hall sensor suitable for IoT application
机译:
0.13μm模块化BCD技术可嵌入适用于IoT应用的高密度E2PROM,RF和霍尔传感器
作者:
Junghwan Lee
;
Kyungho Lee
;
Inchul Jung
;
Hyunchul Kim
;
Heebaeg An
;
Taehoon Lee
;
Taejong Lee
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
EPROM;
Transistors;
Internet of things;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Magnetic fields;
5.
0.18μm 100V-rated BCD with large area power LDMOS with ultra-low effective specific resistance
机译:
具有大面积功率LDMOS的0.18μm100V额定BCD,具有超低的有效比电阻
作者:
Hanseob Cha
;
Kyungho Lee
;
Junghwan Lee
;
Taejong Lee
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Metals;
Diffusion tensor imaging;
Resistance;
Layout;
Fingers;
MOSFET;
Junctions;
6.
CMOS SOI gate driver with integrated optical supply and optical driving for fast power transistors
机译:
CMOS SOI栅极驱动器,具有集成的光电源和用于快速功率晶体管的光驱动
作者:
Nicolas Rouger
;
Long Thanh Le
;
Davy Colin
;
Jean-Christophe Crébier
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Optical buffering;
Integrated optics;
Voltage measurement;
High-speed optical techniques;
Optical variables measurement;
Optical signal processing;
7.
Implementation of high density embedded 3-dimensional MIM capacitor integrated in compatible logic process
机译:
集成在兼容逻辑过程中的高密度嵌入式3维MIM电容器的实现
作者:
Jaeho Hwang
;
Sanghyun Lee
;
Jongtaek Hwang
;
Kyoungwook Ro
;
Sanghyun Lee
;
Jaehee Lee
;
Derek Lee
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Capacitors;
Capacitance;
Metals;
MIM capacitors;
Transistors;
Leakage currents;
8.
2000 V SOI LDMOS with new drift structure for HVICs
机译:
具有用于HVIC的新型漂移结构的2000 V SOI LDMOS
作者:
Takashi Okawa
;
Hiroomi Eguchi
;
Masato Taki
;
Kimimori Hamada
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Electric fields;
Silicon;
Integrated circuits;
Metals;
Fabrication;
Impact ionization;
Electric potential;
9.
A novel high-voltage interconnection structure with dual trenches for 500V SOI-LIGBT
机译:
具有双沟槽的新型高压互连结构,用于500V SOI-LIGHT
作者:
Long Zhang
;
Jing Zhu
;
Weifeng Sun
;
Meng Chen
;
Chao Huang
;
Feng Zhou
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Wei Su
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Integrated circuits;
Electric breakdown;
Electric potential;
Surface treatment;
Inverters;
10.
Contributions to dedicated gate driver circuitry for very high switching speed high temperature power devices
机译:
为超高开关速度高温功率器件的专用栅极驱动器电路做出的贡献
作者:
Van-Sang Nguyen
;
Thanh-Long Le
;
Farshid Sarrafin
;
Ngoc-Duc To
;
Davy Colin
;
Nicolas Rouger
;
Pierre Lefranc
;
Yves Lembeye
;
Jean-Daniel Arnould
;
Bruno Allard
;
Jean-Christophe Crebier
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Optical receivers;
Propagation delay;
Transformer cores;
Integrated optics;
Optical buffering;
Temperature measurement;
11.
Integrated SOI gate driver for 1200V SiC-FET switches
机译:
集成式SOI栅极驱动器,用于1200V SiC-FET开关
作者:
Bastian Vogler
;
Reinhard Herzer
;
Iyead Mayya
;
Sven Buetow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Integrated circuits;
MOSFET;
Bridge circuits;
Switches;
Voltage control;
JFETs;
12.
Integration of GaN HEMTs onto Silicon CMOS by micro Transfer Printing
机译:
通过微转移印刷将GaN HEMT集成到硅CMOS上
作者:
Ralf Lerner
;
Stefan Eisenbrandt
;
Christopher Bower
;
Salvatore Bonafede
;
Alin Fecioru
;
Richard Reiner
;
Patrick Waltereit
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
CMOS integrated circuits;
Silicon;
Printing;
Logic gates;
13.
AlGaN/GaN power device technology for high current (100+ A) and high voltage (1.2 kV)
机译:
适用于大电流(100+ A)和高压(1.2 kV)的AlGaN / GaN功率器件技术
作者:
P. Moens
;
A. Banerjee
;
P. Coppens
;
F. Declercq
;
M. Tack
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Current measurement;
Temperature measurement;
Stress;
Capacitance;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
14.
Over 10 a operation with switching characteristics of 1.2 kV-class vertical GaN trench MOSFETs on a bulk GaN substrate
机译:
在块状GaN衬底上进行超过10次的操作,具有1.2 kV级垂直GaN沟槽MOSFET的开关特性
作者:
Tohru Oka
;
Tsutomu Ina
;
Yukihisa Ueno
;
Junya Nishii
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
MOSFET;
Substrates;
Switches;
Logic gates;
Electrodes;
Current measurement;
15.
High voltage 4H-SiC Bi-directional IGBTs
机译:
高压4H-SiC双向IGBT
作者:
S. Chowdhury
;
C. Hitchcock
;
R. Dahal
;
I. B. Bhat
;
T. P. Chow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Bidirectional control;
Switches;
Conductivity;
Modulation;
Temperature;
16.
A new concept of a high-current power module allowing paralleling of many SiC devices assembled exploiting conventional packaging technologies
机译:
大电流电源模块的新概念,可以利用传统的封装技术使许多组装的SiC器件并联
作者:
Slavo Kicin
;
Felix Traub
;
Samuel Hartmann
;
Enea Bianda
;
Christof Bernhard
;
Stanislav Skibin
;
Francisco Canales
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Logic gates;
MOSFET;
Substrates;
Switches;
Silicon;
Prototypes;
17.
Development of heat sink integrated transfer molded power modules with Thermal Conductive Insulating Sheet
机译:
带有导热绝缘片的集成了散热器的传递模塑功率模块的开发
作者:
Kei Yamamoto
;
Hodaka Rokubuichi
;
Takashi Nishimura
;
Seiki Hiramatsu
;
Dai Nakajima
;
Kiyofumi Kitai
;
Yoichi Goto
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Decision support systems;
Power semiconductor devices;
Integrated circuits;
18.
Novel IGBT modules with epoxy resin encapsulation and insulating metal baseplate
机译:
具有环氧树脂封装和绝缘金属底板的新型IGBT模块
作者:
Yusuke Kaji
;
Yasumichi Hatanaka
;
Seiki Hiramatsu
;
Satoshi Kondo
;
Shinsuke Asada
;
Yoshitaka Otsubo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Epoxy resins;
Insulated gate bipolar transistors;
Substrates;
Heating;
Reliability;
Liquids;
Ceramics;
19.
High performance SiC MOSFET module for industrial applications
机译:
适用于工业应用的高性能SiC MOSFET模块
作者:
Ljubisa Stevanovic
;
Brian Rowden
;
Maja Harfman-Todorovic
;
Peter Losee
;
Alexander Bolotnikov
;
Stacey Kennerly
;
Tobias Schuetz
;
Fabio Carastro
;
Rajib Datta
;
Fengfeng Tao
;
Ravi Raju
;
Philip Cioffi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Decision support systems;
Power semiconductor devices;
Integrated circuits;
20.
Diamond MOSFETs using 2D hole gas with 1700V breakdown voltage
机译:
使用2D空穴气体且击穿电压为1700V的金刚石MOSFET
作者:
H. Kawarada
;
T. Yamada
;
D. Xu
;
Y. Kitabayashi
;
M. Shibata
;
D. Matsumura
;
M. Kobayashi
;
T. Saito
;
T. Kudo
;
M. Inaba
;
A. Hiraiwa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Diamond;
Logic gates;
MOSFET;
Aluminum oxide;
Two dimensional hole gas;
Aluminum gallium nitride;
21.
Experimental demonstration of SiC screen grid vertical JFET (SiC-SGVJFET) having a ultra-low Crss
机译:
具有超低Crss的SiC屏栅垂直JFET(SiC-SGVJFET)的实验演示
作者:
Koji Yano
;
Tsuyoshi Ishikawa
;
Yasunori Tanaka
;
Tsutomu Yatsuo
;
M. Yamamoto
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
JFETs;
Capacitance;
Silicon carbide;
Switches;
Power semiconductor devices;
Integrated circuits;
22.
Orthogonal optimization design for structural parameters of SiC reversely switched dynistor
机译:
SiC反向开关测功机结构参数的正交优化设计
作者:
Lin Liang
;
Yuxiong Shu
;
Ludan Zhang
;
Ming Pan
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Doping;
Optical switches;
Charge carrier lifetime;
Junctions;
Structural engineering;
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