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一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法

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本文提出了一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法——测试结构方法,该方法是在芯片上制作特殊的测试结构,测试结构和器件测试结构尺寸一致,只不过不包含有源器件而已,仅由栅极、漏极和源级的PAD组成,通过测试该结构的S参数来提取寄生电容.本文所用的测试结构为共面波导结构(CPW).

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来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|189-190|共2页
会议地点上海
作者
孔令强; 高建军;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3:TN307;
关键词
高电子迁移率晶体管器件; 氮化镓材料; 寄生电容; 提取方法;

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