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International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
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1.
Thermal Resistance Measurement of Packaged SiC MOSFETs by Transient Dual Interface Method
机译:
瞬态双界面方法封装SiC MOSFET的热阻测量
作者:
T. Yin
;
S. J. Li
;
Y. Q. Chen
;
X. Y. Liao
;
R. G. Li
;
Y. F. En
;
Y. Huang
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Thermal Resistance Measurement;
Packaged;
reproducibility;
2.
Improved Turn-off Capability of IGBT with LIHT Structure
机译:
采用光结构改善IGBT的关闭能力
作者:
Yuzhou Wu
;
Zehong Li
;
Xiaonan Cui
;
Zhaoji Li
;
Xiao Zeng
;
Wei Gao
;
Jinping Zhang
;
Min Ren
;
Bo Zhang
;
Fashun Yang
;
Hai Nie
;
Kaichuan Xiong
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Injection;
Hole Termination;
TRF;
3.
Temperature and Humidity Stress Failure on Copper Pillar (CuP) Flip Chip Package Device
机译:
铜柱(杯子)倒装芯片封装装置上的温度和湿度应力发生故障
作者:
Kaye Ann de las Alas
;
Christine Ison
;
Julius Oliver Rivera
;
Ramil dela Cruz
;
Ruffy Aguares
;
Devang Vyas
;
Toan Nguyen
;
Michelle Bailon-Somintac
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Temperature;
Humidity;
CuP;
4.
Influence of forward current freewheeling time on di/dt robustness of SJ-MOSFET body diode
机译:
正电流续流时间对SJ-MOSFET体二极管DI / DT鲁棒性的影响
作者:
Xin Tong
;
Zhuo Yang
;
Ye Tian
;
Fangjuan Bian
;
Siyang Liu
;
Weifeng Sun
;
Yuanzheng Zhu
;
Peng Ye
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Influence;
forward current;
long enough;
5.
Accelerated Degradation Testing of Driver IC based on Constant Humidity Stress
机译:
基于恒定湿度应力的驾驶员IC加速降解测试
作者:
ZhaoXi Wu
;
ZhongWen Qiu
;
Jun Luo
;
JianRong Cai
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ADT;
certain;
humidity;
6.
Case Study of device failure induced by implantation defect
机译:
植入缺陷诱导器件故障的案例研究
作者:
Ming Guo
;
Yi Che
;
Jinglong Li
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
induced;
implantation;
chemicals;
7.
Thermal analysis and lifetime evaluation on 3-5μm solid state laser
机译:
3-5μm固态激光器的热分析和寿命评估
作者:
LU Guo-guang
;
WEI Lei
;
HANG Long
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Thermal analysis;
lifetime;
important factor;
8.
Compliance Current Effect on Switching Behavior of Hafnium Oxide based RRAM
机译:
合规性电流对氧化铪基RRAM切换行为的影响
作者:
Yanfei Qi
;
Chun Zhao
;
Yuxiao Fang
;
Qifeng Lu
;
Chenguang Liu
;
Li Yang
;
Ce Zhou Zhao
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Current Effect;
Switching Behavior;
Hafnium;
9.
Electrical Parameters Shifts of 1.2kV 4H-SiC MOSFET under Cosmic Radiations
机译:
宇宙辐射下1.2kV 4H-SIC MOSFET的电气参数换档
作者:
Sheng Li
;
Ye Tian
;
Jiaxing Wei
;
Siyang Liu
;
Weifeng Sun
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
BV;
radiations;
10.
Open Failure Mechanisms of FCBGA Package under Temperature Cycling Stress
机译:
温度循环应力下FCBGA包装的开放式故障机制
作者:
Xuanlong Chen
;
Ji Cheng
;
Huiwei Wu
;
Liyuan Liu
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Mechanisms;
FCBGA Package;
mismatch;
11.
Failure Analysis of IC Contains FinFET
机译:
IC的故障分析包含FinFET
作者:
C.H. Chu
;
P.S Kuo
;
T.F. Chang
;
J.X. Yang
;
Jum Chang
;
Ray Yang
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
FA;
EFA;
PFA;
12.
Rapid Diagnostics of Advanced Standard Cell Using Laser Voltage Probing and Dynamic Laser Stimulation
机译:
使用激光电压探测和动态激光刺激快速诊断先进标准电池
作者:
Li-Qing Chen
;
Ming-Sheng Sun
;
Jui-Hao Chao
;
Ke Su
;
Zhe Zhao
;
Guang-Qi Lin
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
LVP;
DLS;
further identified accurately;
13.
Practical Quantitative Scanning Microwave Impedance Microscopy of Semiconductor Devices
机译:
半导体器件的实用定量扫描微波阻抗显微镜显微镜
作者:
Oskar Amster
;
Yongliang Yang
;
B. Drevniok
;
Stuart Friedman
;
Fred Stanke
;
St.J. Dixon - Warren
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
sMIM;
SPM;
doping concentration;
14.
Failure Analysis approach of Gate Source Capacitance Fault on IGBT and Device Physics Theory.
机译:
IGBT和设备物理理论上栅极源电容故障的故障分析方法。
作者:
Arul Krishnan
;
Murugalogeswaran Permal
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
describes;
gate source failure;
ideal threshold;
15.
Design and analysis of LDMOS_SCR with narrow windows
机译:
窄窗口LDMOS_SCR的设计与分析
作者:
Xiang-Liang Jin
;
Yi-Fei Zheng
;
Yang Wang
;
Zi-Jie Zhou
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
analysis;
LDMOS_SCR;
TLP;
16.
Case Study of Electrochemical Migration on Chip Substrate under Chloride Environment
机译:
氯化物环境下芯片基质电化学迁移的案例研究
作者:
Rui Wu
;
Ang Li
;
Changyan Qi
;
Yi Che
;
Jinglong Li
;
Shengqiu Xu
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ECM;
hindered;
relatively;
17.
Fast neutron irradiation effects of Silicon MOS-Controlled Thyristor
机译:
硅MOS控制晶闸管的快速中子辐照效应
作者:
Lei Li
;
Zehong Li
;
Min Ren
;
Jinping Zhang
;
Wei Gao
;
Yuci Lin
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
irradiation effects;
Silicon;
VDMOS;
18.
Failure Analysis Technique of Backside Focused Ion Beam on Decapsulated Device
机译:
解封装装置背面聚焦离子束的故障分析技术
作者:
Nazirul Izzat Mohd Arifen
;
Mohd Azlan Mat Ayob
;
Nurashikin Ismail
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
TEM;
FA;
compare conventional;
19.
Circuit-Level ESD Protection Simulation Using Behavior Models in 28nm CMOS
机译:
电路电平ESD保护仿真在28nm CMOS中使用行为模型进行仿真
作者:
Feilong Zhang
;
Chenkun Wang
;
Fei Lu
;
Qi Chen
;
Cheng Li
;
Albert Wang
;
Daguang Li
;
Shaofeng Yu
;
Chengyu Zhu
;
Tianshen Tang
;
Yuhua Cheng
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ESD;
Behavior model;
SPICE;
circuit;
20.
K-Band Low-Noise Amplifier with Stacked-Diode ESD Protection in Nanoscale CMOS Technology
机译:
K频段低噪声放大器,具有纳米级CMOS技术的堆叠二极管ESD保护
作者:
Meng-Ting Lin
;
Chun-Yu Lin
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ESD;
SCR;
RF;
21.
SDL analysis in temperature sensitive failure based on DALS system
机译:
基于DALS系统的温度敏感故障SDL分析
作者:
Chi He
;
Diwei Fan
;
Grace Song
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
SDL;
DALS;
temperature sensitive;
FA;
22.
Defect Z-depth Determination in Flip-chip Using Lock-in Thermography
机译:
使用锁定热成像倒装芯片中的缺陷Z深度测定
作者:
Wen Qiu
;
Bernice Zee
;
Herve Deslandes
;
Brian Lai
;
David Tien
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
LIT;
PFA;
experimental;
23.
An Improvement on Locating Defects Precisely in Power MOSFET
机译:
电力MOSFET精确定位缺陷的改进
作者:
Wen Cheng Hsu
;
Yu Hsiang Shu
;
Chun Ming Chen
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
IGBT;
increase;
success;
24.
Fault isolation on the wafer with lithography hotspot signature
机译:
用光刻热点签名晶圆上的故障隔离
作者:
C.Q. Chen
;
G.B. Ang
;
P.T. Ng
;
Francis Rivai
;
D. Nagalingam
;
H.P. NG
;
K.H. Yip
;
J. Lam
;
Z.H. Mai
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
isolation;
lithography;
mechanism;
25.
Characterization of plate-like Ni-Sn Intermetallic Compounds in Sn-Ag solder bump
机译:
SN-AG焊料凸块中板状Ni-Sn金属间化合物的表征
作者:
Hanbyul Kang
;
Miji Lee
;
Sangkwon Park
;
Sangsu Ha
;
Gunrae Kim
;
Sangchul Shin
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Characterization;
plate-like Ni-Sn Intermetallic;
transmission;
26.
A Study of 28nm Back End of Line (BEOL) Cu/Ultra-Low-k Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) Dependence on Key Processes
机译:
对线(BEOL)CU /超低k时间依赖介电击穿(TDDB)依赖性的28nm后端的研究
作者:
Feng-lian Li
;
Jie Zhou
;
Li-Fei Zhang
;
Zheng-Hao Gan
;
Xiao-Dong Zou
;
Tao Dou
;
Tzu-Chiang Yu
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ULK;
Barrier layer;
TDDB;
ULK damage;
27.
Electrical characterization of Gate electrode recess depth in ultra-thick Si02, vertical trench DMOS
机译:
超厚SIO2,垂直沟槽DMOS中栅电极凹陷深度的电气表征
作者:
Mohd Hanif Kamaruddin
;
Norhayati Soin
;
Low Hooi Yee
;
Candy Choo Kai Chyuan
;
Lee Nean Sern
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Electrical characterization;
Gate electrode;
clearly detected;
28.
Electro Optical Probing / Frequency Mapping (EOP/EOFM) Application in Failure Isolation of Advanced Analogue Devices
机译:
电光探测/频率映射(EOP / EOFM)应用于先进模拟设备的故障隔离
作者:
Haus Zhang
;
Power Tian
;
Xuejian Qian
;
Winter Wang
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
EOFM;
EOP;
advanced;
29.
Multi-Trap Energy States in GaN HEMTs: Characterization and Modeling
机译:
GaN Hemts中的多阱能量状态:表征和建模
作者:
Binit Syamal
;
Xing Zhou
;
Siau Ben Chiah
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
MTE;
STE;
physics-based model;
30.
Systematic root cause analysis of metal defects in FINFET devices
机译:
FINFET器件中金属缺陷的系统根本原因分析
作者:
Winson Lua
;
Soon-Huat Lim
;
Venkat Krishnan Ravikumar
;
Angeline Phoa
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
analysis;
defects;
turnaround time;
31.
An analysis of a case of plastic packaging SiP module delamination failure
机译:
塑料封装SIP模块分层失效的情况分析
作者:
ZHU Tianrui
;
ZHENG Tuo
;
QIN He
;
LI Zhiyuan
;
WANG Meng
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
analysis;
packaging;
failure;
32.
Study on Predicting the Temperature of Stacked Chip based on Thermal Resistance Matrix
机译:
基于热阻矩阵预测堆叠芯片温度的研究
作者:
Zhang Jinyuan
;
Zhou Bin
;
Li Guoyuan
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Predicting;
Temperature;
Stacked;
33.
Resistance change observation of wiring in semiconductor device using ultrasonic stimulation
机译:
超声波刺激的半导体器件布线电阻变化观察
作者:
Toru Matsumoto
;
Naohiro Hozumi
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
performed;
improve performance;
stability;
34.
Fault Isolation of Digital Scan Logic without ~6Scan Diagnosis'
机译:
数字扫描逻辑的故障隔离无〜6Scan诊断'
作者:
BL Yeoh
;
SH Goh
;
GF You
;
Hu Hao
;
Alan Tan
;
YH Chan
;
Zhao lin
;
Jeffrey Lam
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Isolation;
Digital Scan Logic;
effective;
35.
Study on Corrosion Failure Mechanism of Ceramic Optocoupler Under Thermal Stress
机译:
热应力下陶瓷光耦合器腐蚀失效机理研究
作者:
Liang Mei
;
Daming Yang
;
Hong Zhang
;
Yuanyuan Xiong
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
optocoupler;
thermal stress;
passivation layer;
failure mechanism;
corrosion;
36.
Effect of Gate Recess Variation on Electrical Characteristics and 2DEG Transport of InGaAs High Electron Mobility Transistors
机译:
栅极凹陷变化对InGaAs高电子迁移率晶体管电特性和2DEG传输的影响
作者:
Sharidya Rahman
;
Nurul Aida Farhana Othman
;
Sharifah Wan Muhamad Hatta
;
Norhayati Soin
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
analysis;
recess variation;
logic applications;
37.
Unique Failure Analysis Capabilities Enabled by the MIP Decapsulation Technique
机译:
由MIP解封技术启用的独特故障分析功能
作者:
J. Tang
;
B. Wang
;
C. Liu
;
J. Wang
;
C.I.M. Beenakker
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Contamination;
Electrical Overstress;
typical;
38.
ESD-Induced Latchup-Like Failure in a Touch Panel Control IC
机译:
触摸面板控制IC中的ESD诱导的闩锁式失效
作者:
Ming-Dou Ker
;
Po-Yen Chiu
;
Wuu-Trong Shieh
;
Chun-Chi Wang
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Failure;
Touch Panel Control IC;
presented;
39.
Uncovered the 'hidden real defect' masked by 'other anomaly seen' through deep dive FA in wafer fabrication
机译:
通过晶圆制造中的深潜水法揭示“隐藏的真实缺陷”掩盖的“其他异常”掩盖
作者:
Angela Teo
;
Ng Hui Peng
;
Ang Ghim Boon
;
Chen Chang Qing
;
Xu Nai Yun
;
Dayanand. N
;
Tam Yong Seng
;
Mai Zhi Hong
;
Jeffrey Lam
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
important;
analyst;
mindset;
40.
Inserted Substrate Pickup Style with External Resistance in an ESD NMOS Transistor
机译:
在ESD NMOS晶体管中插入具有外部电阻的基板拾取器样式
作者:
Chih-Yao Huang
;
Fu-Chien Chiu
;
Bo-Chen Lin
;
Po-Kung Song
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Pickup Style;
External;
serious;
41.
Innovative methodology in automotive semiconductors for statistical correlation study between reliability accelerated stress tests and real field applications
机译:
汽车半导体中的创新方法,用于可靠性加速应力测试与实地应用之间的统计相关性研究
作者:
Corinne Bergès
;
Sting Chung
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
methodology;
automotive semiconductors;
establishes correlation;
42.
PCB Engineering for Improving Temperature Cycling Reliability of Lead-free Solder Ball Joint
机译:
PCB工程改善无铅焊球接头温度循环可靠性
作者:
Ni Hsing Lee
;
Pradeep Sharma
;
Peter Sung
;
Sharon Chen
;
Sting Chung
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
TMCL;
surface finish;
solder mask;
43.
A Detailed Analysis Scheme to Interpret Multiple Photon Emissions Micrograph for Improved Diagnostic Resolution on Open Defects
机译:
一种详细的分析方案,解释多重光子排放显微照片,以改善打开缺陷的诊断分辨率
作者:
SH Goh
;
Edmund C Manlangit
;
Edy Susanto
;
BL Yeoh
;
Hu Hao
;
Alan Tan
;
Hnin Hnin W Ma
;
Zhao lin
;
YH Chan
;
Jeffrey Lam
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Microscopy;
mainstream;
photon emission;
44.
The As-grown-Generation (AG) model: A reliable model for reliability prediction under real use conditions
机译:
生成的(AG)模型:在真实使用条件下可靠性预测的可靠模型
作者:
J. F. Zhang
;
Z. Ji
;
W. Zhang
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
AG;
measuring;
as-grown defects experimentally;
45.
ESD Protection Design on T/R Switch with Embedded SCR in CMOS Process
机译:
带有CMOS过程中嵌入式SCR的T / R交换机的ESD保护设计
作者:
Tao-Yi Hung
;
Ming-Dou Ker
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
SCR;
proposed;
discharge ESD current;
46.
Vector Dependent Baseline IDDQ Current Drifted Analysis Approach
机译:
向量依赖基线IDDQ电流漂移分析方法
作者:
Ismail Hashim
;
Ang Chung Keow
;
Yong Foo Khong
;
Arul Krishnan
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
IDDQ;
DFT;
discussed;
47.
Logic Circuit Failure Analysis Micro-probing on Floating Signal Net
机译:
浮动信号网上逻辑电路故障分析与微探测
作者:
Ang Chung Keow
;
Ismail Hashim
;
Lee Wei
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Failure Analysis;
Micro-probing;
defect identification;
48.
Top Gate Graphene Field Effect Transistor on Flexible Substrate by using one -Step Fluorinated Graphene as Dielectrics
机译:
柔性基板上的顶栅石墨烯场效应晶体管通过使用一个氟化石墨烯作为电介质
作者:
Mamina Sahoo
;
Fei-Hou
;
Zhiwei Liu
;
Chao-Sung Lai
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
PET;
flexibility;
electrical stability;
49.
Novel Voltage Triggered Electrostatic Discharge (ESD) Detection Circuit
机译:
新型电压触发静电放电(ESD)检测电路
作者:
Wei Liang
;
Zhaonian Yang
;
Aihua Dong
;
Hang Li
;
Kalpathy B. Sundaram
;
Juin J. Liou
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
ESD;
suggest;
proposed;
50.
Study on short failure localization approach by newly developed EBAC technique
机译:
新开发EBAC技术的短暂故障定位方法研究
作者:
Junichi Fuse
;
Takeshi Sunaoshi
;
Yasuhiko Nara
;
Akira Kageyama
;
Takayuki Mizuno
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Demand;
short failure analysis;
location;
51.
Nano-electric studies on advanced semiconductor devices by conductive AFM
机译:
导电AFM高级半导体器件纳米电气研究
作者:
Y. J. Chen
;
S. C. Chan
;
S. L. Toh
;
R. Ji
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
CAFM;
EFA;
faulty isolation;
52.
Stress analysis on ultra-thin ground CMOS-MEMS wafers via micro-Raman spectroscopy
机译:
通过微拉曼光谱法对超薄地面CMOS-MEMS晶片的应力分析
作者:
Huang Yamin
;
Liu Bo
;
Zhu Lei
;
Tan Pik Kee
;
Lam Jeffrey
;
Mai Zhihong
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
micrometres;
stacking;
backside induced;
53.
LDMOST Gate Oxide Breakdown Prediction under Realistic RF Power Application Conditions
机译:
在现实的RF功率应用条件下,最大的栅极氧化物击穿预测
作者:
Guoqiao Tao
;
Sjoerd van Nederveen
;
Mario de Vaan
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
dielectric breakdown;
circuit reliability;
product reliability;
RF Power;
MMICs;
54.
High Resistive Via Localization using Electro Optical Techniques
机译:
使用电光技术通过定位高电阻
作者:
Song Jinrong
;
Fan Diwei
;
Guo Xue
;
He Chi
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
application;
techniques;
resistive;
55.
Fault Isolation on marginal failures using dummy signals
机译:
使用虚设信号的边缘故障的故障隔离
作者:
D. Nagalingam
;
S. Moon
;
A.C.T. Quah
;
P.T. Ng
;
S.L. Ting
;
J. Cuevas Alag
;
G.B. Ang
;
Z.H. Mai
;
J.C. Lam
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Fault Isolation;
marginal failures;
exclusive hotspots;
56.
FIB TEM Application Methods with Related Theory Explanations
机译:
相关理论解释的FIB和TEM应用方法
作者:
Lingzhi Xie
;
Sunday Zheng
;
JH Lee
;
Ming Li
;
Mark Zhang
;
Kary Chien
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Methods;
Related Theory Explanations;
described;
57.
Optical probing on digital circuit elements (NANDs)
机译:
光学探测数字电路元件(NANDS)
作者:
I. Vogt
;
T. Nakamura
;
C. Boit
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
NANDs;
LVI/LVP;
light source;
58.
Multiscale Modeling of Defect-Related Phenomena in high-k Based Logic and Memory Devices
机译:
高k基于逻辑和内存设备中缺陷相关现象的多尺度建模
作者:
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
;
Francesco Maria Puglisi
;
Paolo Pavan
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Multiscale Modeling;
Defect-Related;
reliability;
59.
The Development of Electron Beam Absorbed Current imaging system using Scanning Transmission Electron Microscope and its application
机译:
电子束吸收电流成像系统的发展使用扫描透射电子显微镜及其应用
作者:
Yuya SUZUKI
;
Hiroaki MATSUMOTO
;
Hiroyuki TANAKA
;
Akira KAGEYAMA
;
Yasuhira NAGAKUBO
;
Kuniyasu NAKAMURA
;
Takayuki MIZUNO
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
Development;
Electron Beam Absorbed;
newly developed;
60.
Advanced TEM sample preparation and imaging techniques in semiconductor devices
机译:
半导体器件中的高级TEM样品制备和成像技术
作者:
Yi Qiang Shen
;
Jie Zhu
;
Taiebeh Tahmasebi
;
Kok Wah Lee
;
Chui Lam Tay
;
Si Ping Zhao
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
preparation;
imaging techniques;
semiconductor;
61.
Visible Light Techniques in the FinFET Era: Challenges, Threats and Opportunities.
机译:
Finfet时代的可见光技术:挑战,威胁和机遇。
作者:
Heiko Lohrke
;
Hannes Zollner
;
Philipp Scholz
;
Shahin Tajik
;
Christian Boit
;
Jean-Pierre Seifert
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2017年
关键词:
LSM;
reviewed;
relevant protection;
62.
Thermal Reliability of Cu/low -??(Black-Diamond??, BD) Interconnects on Flexible Organic Substrate
机译:
Cu /低的热可靠性 - 柔性有机基质(黑色钻石?,BD)互连
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
copper;
cryogenic electronics;
integrated circuit interconnections;
integrated circuit reliability;
silicon;
Cu;
Si;
burn in test;
electrical yields;
low-k interconnects;
resistance shift;
thermal reliability;
63.
DC-Coupled Laser Induced Detection System for Fault Localization in Microelectronic Failure Analysis
机译:
DC耦合激光诱导的微电子故障分析故障定位检测系统
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electric resistance measurement;
failure analysis;
fault diagnosis;
integrated circuit reliability;
measurement by laser beam;
dc-coupled laser induced detection system;
fault localization;
laser induced resistance change;
microelectronic failure analysis;
64.
Fabrication of high Ge content SiGe layer on Si by Ge condensation technique
机译:
fabrication of high GE contents IgE layer ONS IB有GE condensation technique
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
Ge-Si alloys;
accumulation layers;
buffer layers;
condensation;
oxidation;
surface diffusion;
SiGe;
accumulation mechanism;
condensation technique;
diffusion mechanism;
optimized process conditions;
thermal oxidation;
65.
Reliability of Ultra-thin Zirconium Dioxide (ZrO2) Films on Strained-Si
机译:
紧张型Si上超薄锆二氧化锆(ZrO2)薄膜的可靠性
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
high-k dielectric thin films;
integrated circuit reliability;
leakage currents;
ZrOlt;
subgt;
2lt;
/subgt;
-Si-SiGe;
charge trapping;
constant current stress;
constant voltage stress;
high-k gate dielectric;
microwave-plasma deposition;
reliability property;
stress induced leakage current;
trap centroid;
ultrathin dielectric film;
66.
The Quantitative Analysis Methodology of Charged Potential by Electron Beam Bombardment for Improving the Passive Voltage Contrast on Advanced Technology
机译:
电子束轰击充电电位定量分析方法,用于提高先进技术上的无源电压对比度
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electron beam testing;
failure analysis;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
charged potential;
charging voltage;
electron beam bombardment;
integrated circuits;
passive voltage contrast;
secondary electron yield;
67.
Distinction of Photo-Electric and Thermal Effects in a MOSFET by 1064 nm Laser Stimulation
机译:
通过1064nm激光刺激在MOSFET中的光电和热效应的区别
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
laser beam effects;
1064 nm;
dynamic device behavior;
integrated circuit failure analysis;
laser stimulation effects;
photoelectric effects;
static device behavior;
thermal effects;
68.
Trapped Charge Distribution during the P/E Cycling of SONOS Memory
机译:
在Sonos记忆的P / E循环期间被捕获的电荷分布
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electron traps;
hole traps;
semiconductor storage;
silicon compounds;
0.18 micron;
P/E cycling;
SONOS memory;
charge pumping;
electrons accumulation;
endurance characteristic;
holes accumulation;
trapped charge distribution;
69.
Effects of Annealing and Temperature on SGOI Fabrication Using Ge Condensation
机译:
使用Ge凝结的退火和温度对SGO制造的影响
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
Ge-Si alloys;
amorphisation;
annealing;
condensation;
high-temperature electronics;
oxidation;
silicon-on-insulator;
1050 C;
SGOI fabrication;
SiGe;
amorphization;
temperature effects;
70.
Simulation of Texture Development Caused Stress Build-Up in Electroplated Copper Lines
机译:
纹理开发的仿真引起了电镀铜线中的应力积聚
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
copper;
electromigration;
electroplating;
grain size;
integrated circuit metallisation;
integrated circuit modelling;
surface texture;
Cu;
microstructural mechanical properties;
stress build-up;
stress distribution;
texture development;
texture evolution;
71.
Optimizing pulsed OBIC technique for ESD defect localization
机译:
优化ESD缺陷定位的脉冲卵形技术
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
OBIC;
electrostatic discharge;
failure analysis;
integrated circuit testing;
ESD defect localization;
device under test;
optical beam induced current;
photoelectric laser stimulation;
pulsed OBIC technique;
72.
Alternate Conductive Atomic Force Microscope with Scanning Capacitance Microscope to Catch Hidden Defect
机译:
具有扫描电容显微镜的替代导电原子力显微镜捕获隐藏的缺陷
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
atomic force microscopy;
doping profiles;
failure analysis;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
conductive atomic force microscope;
hidden defects;
scanning capacitance microscope;
73.
Interface Characterization for Vertically Aligned Carbon Nanofibers for On-chip Interconnect Applications
机译:
用于片上互连应用的垂直对准碳纳米纤维的界面表征
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
carbon fibres;
focused ion beam technology;
integrated circuit interconnections;
interface structure;
nanostructured materials;
nanotechnology;
plasma CVD;
scanning-transmission electron microscopy;
10 to 100 nm;
PECVD;
STEM;
carbon nanofibers;
cross-sectional imaging;
focused ion beam;
interface characterization;
nanostructure characterization;
on-chip interconnect;
plasma-enhanced chemical vapor deposition;
scanning transmission electron microscopy;
Carbon nanofiber;
74.
Localization of Electrical Shorts in Dies and Packages using Magnetic Microscopy and Lock-in-IR Thermography
机译:
使用磁性显微镜和锁定IR热成像的模具和包装中的电气短路定位
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
SQUIDs;
infrared imaging;
magnetic force microscopy;
system-in-package;
electrical shorts;
lock-in-IR thermography;
magnetic microscopy;
scanning SQUID microscopy;
75.
Application of FIB Circuit Edit and Electrical Characterization in Failure Analysis for Invisible Defect Issues
机译:
FIB电路在无形缺陷问题的故障分析中的应用
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
SRAM chips;
failure analysis;
focused ion beam technology;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
scanning electron microscopy;
transmission electron microscopy;
SRAM cell;
device malfunction;
electrical failure analysis;
focused ion beam circuits;
invisible defects;
physical failure analysis;
semiconductor process technology;
76.
Using Probing Techniques to Identify and Study High Leakage Issues in the Development of 90nm Process and Below
机译:
使用探测技术来识别和研究90nm过程和下面的高泄漏问题
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
atomic force microscopy;
leakage currents;
nanoelectronics;
C-AFM;
TUNA;
conductive atomic force microscopy;
current mapping;
current-voltage measurement;
high leakage issues;
nanoprobing technique;
scanning probe microscope;
tunneling atomic force microscopy;
77.
Application of Atomic Force Probing on 90nm DRAM Cell Failure Analysis
机译:
原子力探测在90nm DRAM细胞失效分析中的应用
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
DRAM chips;
atomic force microscopy;
failure analysis;
90 nm;
DRAM failure analysis;
atomic force probing;
failure root causes;
marginal faults;
78.
The Scanning Confocal Electron Microscope: A New Tool for Defect Studies in Semiconductor Devices
机译:
扫描共聚焦电子显微镜:半导体器件中缺陷研究的新工具
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
failure analysis;
scanning electron microscopes;
semiconductor device manufacture;
semiconductor devices;
SCEM;
embedded defects;
nonoptically transparent semiconductor devices;
scanning confocal electron microscope;
semiconductor manufacturing;
79.
Development of FIB-based Charge Reduction Methods for Auger Electron Spectroscopy and Their Application in Failure Analysis
机译:
基于FIB的COUNTS减少方法的开发螺旋钻电子光谱的方法及其在故障分析中的应用
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
Auger electron spectroscopy;
aluminium;
failure analysis;
focused ion beam technology;
gold;
platinum;
silicon;
surface charging;
Al;
Au;
Au-pad;
FIB-based charge reduction method;
Pt wires;
floating Al-pads;
packaged die unit;
80.
Novel method for debug of electrostatic discharge protection in VLSI circuits
机译:
VLSI电路中静电放电保护的新方法
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
VLSI;
electrostatic discharge;
failure analysis;
integrated circuit reliability;
ESD stress;
VLSI circuits;
electrostatic discharge protection;
low-energy non-destructive emulation;
81.
Ultra-Short-Channel Characteristics of Planar MOSFETs With Block Oxide
机译:
具有块氧化物的平面MOSFET的超短通道特性
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
insulators;
silicon-on-insulator;
FDSOI;
block oxide;
partial insulator;
planar MOSFET;
ultra short channel characteristics;
82.
Local Strained Channel (LSC) nMOSFETs by Different Poly-Si Gate and SiN Capping Layer Thicknesses: Mobility Enhancement, Size Dependence, and Hot Carrier Stress
机译:
不同的Poly-Si栅极和SiN覆盖层厚度的局部应变通道(LSC)NMOSFET:移动性增强,尺寸依赖性和热载波应力
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
carrier mobility;
hot carriers;
organic semiconductors;
polymers;
silicon compounds;
150 nm;
220 nm;
SiN;
capping layer deposition;
capping layer thickness;
hot carrier injection reliability;
hot carrier stress;
local strained channel;
mechanical stress;
mobility enhancement;
nMOSFET;
poly-Si gate;
size dependence;
tensile strain;
tensile stress;
83.
Application of EDS Technique for OSP Film Thickness Measurement
机译:
EDS技术在OSP胶片厚度测量中的应用
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
ball grid arrays;
copper;
integrated circuit manufacture;
reflow soldering;
solders;
surface finishing;
thermal resistance;
thickness measurement;
thin films;
Cu;
EDS technique;
OSP film thickness measurement;
ball grid array package;
heat resistance;
organic solderability preservatives;
pad finishing;
solder ball attachment;
solder joint strength;
solder paste;
soldering fluxes;
84.
Novel Sample Preparation Methodology on TIM Materials for TEM Microstructure Study
机译:
TEM微观结构研究的TIM材料进行新的样品制备方法
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
focused ion beam technology;
integrated circuit packaging;
microprocessor chips;
specimen preparation;
thermal management (packaging);
transmission electron microscopy;
focused ion beam;
integrated circuit chip;
intermetallic compounds;
microprocessors;
phase morphology;
sample preparation;
thermal interface material;
thermal management;
85.
Characterization of a Burn-in Failure Caused by a Defective Source Driver on TFT-LCD Panel
机译:
TFT-LCD面板上有缺陷源驱动器引起的燃烧失败的表征
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
driver circuits;
failure analysis;
liquid crystal displays;
thin film transistors;
LCD panel burn-in failure;
LCD source driver;
TFT-LCD panel;
chip probing;
chip-on-glass;
circuit simulation;
emission microscope;
energy dispersive analysis X-ray;
ATE;
Bit-line defect;
COG;
CP;
DVS;
EDAX;
EMMI;
LCD driver;
TFT-LCD;
source driver;
two-step DAC;
86.
Breakthroughs in the Analysis of Leakage Failures in PBGA Packages
机译:
PBGA封装中泄漏故障分析的突破
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
atomic force microscopy;
ball grid arrays;
failure analysis;
plastic packaging;
acid etching;
conductive atomic force microscopy;
energy dispersive X-ray;
leakage failures;
plastic ball grid array packages;
87.
Impact of the PCB design on the crack risk of CSP assemblies subjected to temperature cycling and drop tests
机译:
PCB设计对温度循环和跌落试验的CSP组件裂纹风险的影响
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
chip scale packaging;
copper alloys;
fatigue cracks;
lead alloys;
printed circuit design;
printed circuit testing;
silver alloys;
solders;
surface mount technology;
tin alloys;
PCB bending;
PCB design;
SnAgCu;
SnPb;
drop tests;
impact fatigue;
integrated circuit packages;
micro-assembly welding reliability;
solder joint cracks;
solder joints welding;
solder pastes;
surface mounted technology;
temperature cycling;
88.
Analysis of Failure Mechanism on Gate-Silicided and Gate-Non-Silicided, Drain/Source Silicide-blocked ESD NMOSFETs in a 65nm Bulk CMOS Technology
机译:
65nm散装CMOS技术中栅极 - 硅化和栅极 - 非硅化物,沥干/源硅化物堵塞ESD NMOS的失效机理分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
electrostatic discharge;
failure analysis;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device reliability;
1.0 V;
2.5 V;
65 nm;
bulk CMOS technology;
drain-source silicide-blocked ESD NMOSFET;
drain-to-substrate junction shorting;
failure mechanism analysis;
gate-non-silicided NMOSFET;
gate-oxide breakdown failure;
gate-silicided NMOSFET;
89.
Non-Classical Hot-Electron Gate Current in the Deep Submicrometer N-MOS Flash Memory Cell
机译:
深潜置尺寸计N-MOS闪存单元中的非古典热电子栅电流
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
flash memories;
hot carriers;
CHE biasing;
deep submicrometer N-MOS flash memory cell;
nonclassical hot-electron gate current;
90.
Impact of Random Bit Values on NBTI Lifetime of an SRAM Cell
机译:
随机位值对SRAM单元的NBTI寿命的影响
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
SRAM chips;
extrapolation;
random sequences;
reaction-diffusion systems;
DC degradation;
NBTI lifetime;
SRAM cell;
SRAM lifetime;
calibrated reaction-diffusion model;
fully unsymmetric stress;
random bit values;
symmetric stress;
91.
Abnormal ESD Damages Occur in Interface Circuits between Different Power Domains in ND-Mode MM ESD Stress
机译:
在ND模式MM ESD应力中的不同电源域之间的接口电路中发生异常ESD损坏
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electric domains;
electrostatic discharge;
failure analysis;
ESD failure mechanisms;
ND mode MM ESD stress;
abnormal ESD damages;
interface circuits;
power domains;
92.
A Study of Asymmetrical Behaviour in Advanced Nano SRAM Devices
机译:
高级纳米SRAM设备中的不对称行为研究
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
SRAM chips;
failure analysis;
nanoelectronics;
nano SRAM devices;
nanoprobing;
physical failure analysis;
single bit failure;
transistor level fault isolation;
93.
Gate-Oxide Reliability on CMOS Analog Amplifiers in a 130-nm Low-Voltage CMOS Processes
机译:
CMOS模拟放大器上的栅极氧化物可靠性在130nm低压CMOS工艺中
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
CMOS analogue integrated circuits;
MOSFET;
amplifiers;
semiconductor device reliability;
130 nm;
2.5 V;
AC stress;
CMOS analog amplifiers;
DC offset;
DC stress;
common-source amplifiers;
gate-oxide reliability;
low-voltage CMOS processes;
nonstacked structures;
output DC voltage level;
small-signal gain;
small-signal parameters;
stacked structures;
unity-gain frequency;
94.
Apply Difference Analysis to Nano-Probing Technique for Reasoning Erratic Defect out in Integrated Circuits
机译:
应用差分分析纳米探测技术,以推理集成电路中的不稳定缺陷
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
failure analysis;
fault diagnosis;
inference mechanisms;
integrated circuit measurement;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
deductive methodology;
difference analysis;
erratic device defect;
integrated circuits defects;
nanoprobing technique;
puzzling feature;
tailing failure;
95.
Tiny Pitts are the Yield Major Killer Caused by Metal Contamination in Wet Bench Cleaning
机译:
Tiny Pitts是由湿卧式清洁中金属污染引起的产量主要杀手
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
semiconductor device manufacture;
surface cleaning;
surface contamination;
transmission electron microscopy;
EDS;
TEM;
gate oxide deposition;
heavy metals;
metal contamination;
mushroom like defects;
process wafers;
tiny pits;
wet bench cleaning;
96.
The rules of the Rue Morgue: a decade later
机译:
rue morgue的规则:十年后
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2006年
关键词:
failure analysis;
semiconductor device manufacture;
CMOS;
EMI-induced ESD events;
IGBT;
Rue Morgue;
failure analyses;
reliability parameters estimation;
system reliability predictions;
97.
Future of Nano-CMOS Technology and Its Production
机译:
纳米CMOS技术的未来及其生产
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2006年
关键词:
nanotechnology;
semiconductor device manufacture;
IC technology;
nano-CMOS technology;
semiconductor manufacturing;
98.
Technology Reliability Qualification of a 65nm CMOS Cu/Low-k BEOL Interconnect
机译:
技术可靠性符合65nm CMOS Cu / Low-K BEOL互连的资格
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2006年
关键词:
CMOS integrated circuits;
copper;
cryogenic electronics;
electric breakdown;
electromigration;
integrated circuit interconnections;
semiconductor device reliability;
300 mm;
65 nm;
BEOL;
CMOS;
Cu;
back end of line;
interconnect reliability;
low-k interconnect;
material optimization;
stress migration;
thermal conductance;
time dependent dielectric breakdown;
Cu interconnect;
ILD;
Jdc;
Jrms;
low-k;
metal diffusion;
process integration;
reliability;
thermal;
time-dependent dielectric breakdown;
99.
Standard Silicon CMOS Device uses for developing a Biological Sensor
机译:
标准硅CMOS器件用于开发生物传感器
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2006年
关键词:
CMOS integrated circuits;
biosensors;
elemental semiconductors;
silicon;
CMOS device;
antibody concentration;
body malfunction detector;
illness detector;
100.
Design for Reliability
机译:
可靠性设计
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2006年
关键词:
alpha-particle effects;
integrated circuit design;
integrated circuit reliability;
neutron effects;
advanced test structure development;
alpha particle radiation effects;
cell library testing;
circuit design;
design for reliability;
failure analysis;
neutron radiation effects;
parametric distributions;
reliability assurance;
reliability simulation;
thermal limits;
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