机译:ZnSe MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT构成的单片受光器
II-VI semiconductors; III-V semiconductors; gallium arsenide; gallium compounds; heterojunction bipolar transistors; indium compounds; optical receivers; photodiodes; wide band gap semiconductors; zinc compounds; ZnSe-InGaP-GaAs; heterojunction bipolar transistor; m;
机译:在GaAs衬底上集成了ZnSe MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT,用于高灵敏度短波长光电探测器
机译:ZnS MSM光电二极管和InGaP / GaAs HBT在GaAs衬底上的单片集成
机译:使用InGaAs MSM光电二极管和在GaAs上生长的AlGaAs / GaAs HEMT的1.3μm单片集成光电接收器
机译:使用Ingap / gaas Hbts的5 Gb高输出电压的10 Gb / s单片光学调制器驱动器
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:用于X射线光子计数光谱的InGaP(GaInP)台面p-i-n光电二极管
机译:46 GHz带宽单片Inp / InGaas pIN / sHBT光接收器
机译:16 GHz带宽Inalas-InGaas单片集成p-i-n / HBT光接收器