机译:具有沟槽掩埋氧化物层的SOI衬底上的横向功率二极管的损耗降低
机译:在沟槽掩埋氧化物层上具有补偿层的高压SOI MOSFET
机译:具有侧向掺杂层埋入变化的新型低截止损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:用于功率集成电路的SOI上的横向沟槽氧化物肖特基整流器
机译:具有沟槽掩埋氧化物结构的绝缘体上硅衬底上的横向IGBT和二极管的瞬态特性分析
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:氧化还原催化与底物光氧化反应的催化剂再生通过底物还原。 W10O324催化的硫醚同时氧化C-H键断裂和还原C-s键断裂