GaN auf Silizium

摘要

Mit der Produktion wei?er Leuchtdioden für Beleuchtungszwecke hat Toshiba begonnen. W?hrend die Produktion von LED-Chips normalerweise auf 2- bis 4-Zoll-Wafern mit einem teuren Saphir-Substrat erfolgt, haben Toshiba und Bridgelux einen Prozess zur Herstellung von Gallium-Nitrid-LEDs auf 200-mm-Siliziumwafern entwickelt. Die ?TL1F1?-Serie mit 1W besitzt die Abmessungen 6,4 mm x 5,0 mm x 1,35 mm. Der Lichtstrom bei 350 mA liegt bei 112 Im.