机译:抑制N极GaN绿色发光二极管中的电子溢出和效率下降
Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA;
机译:抑制N极GaN绿色发光二极管中的电子溢出和效率下降
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机译:纳米级V形凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:通过设计电子阻挡层减少GaN / IngaN多量子孔发光二极管的Si-掺杂屏障模型的效率下垂
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:电子对InGaN / GaN mQW发光二极管效率下降的过冲影响