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机译:GaAsSb / GaAsN短周期超晶格作为覆盖层,用于改进的基于InAs量子点的光电
Institute for Systems based on Optoelectronics and Microtechnology (ISOM) and Departamento de Ingeniería Electrónica, Universidad Politécnica de Madrid, Ciudad Universitaria s, 28040 Madrid, Spain;
机译:GaAsSb / GaAsN短周期超晶格作为覆盖层,用于改进的基于InAs量子点的光电
机译:短周期GaAs / InAs超晶格和InGaAs结合层覆盖的InAs量子点的光学特性
机译:具有InAlAs电流阻挡层的GaAs / InAs短周期超晶格/ InP(411)量子点激光二极管的电流注入激光操作
机译:通过插入InAlAs电流阻挡层和激光操作改善了GaAs / InAs短周期超晶格量子点发光二极管的光输出特性
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:具有飞秒光纤激光器应用的短周期超晶格封盖结构的1550 nm InAs / GaAs量子点可饱和吸收镜的开发
机译:薄的Gaassb封端层,用于改善INAS / GaAs量子点太阳能电池的性能
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究