机译:在无催化剂掺杂的硅掺杂的砷化镓中无分子束外延生长的n型行为的证明
Tech Univ Munich Walter Schottky Inst & Phys Dept Coulombwall 4 D-85748 Garching Germany;
Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany;
Ludwig Maximilians Univ Munchen Dept Chem Butenandtstr 5 D-81377 Munich Germany;
机译:Si掺杂诱导的无催化剂分子束外延气相固液生长Si掺杂GaAs纳米线中的闪锌矿和纤锌矿相分离
机译:分子束外延生长N型掺Si的AlxGA0.51-in0.49P中DX中心的配体水平和微观结构
机译:通过分子束外延生长的n型和p型GaAs _((1-x))Bix薄膜的结构和光学性质(311)BaAs基材
机译:硅上无催化剂的GaAs:Si纳米线的气固选择区分子束外延和N型掺杂。
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的si掺杂n-Gaas中等电子In或sb掺杂对陷阱的抑制