机译:室温H_2等离子体处理可增强硅/ TiO_2界面的钝化
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India;
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India;
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India;
Indian Inst Technol, Dept Elect Engn, Bombay 400076, Maharashtra, India;
机译:通过n-i和i / p界面的a-SiC:H(p)窗口层和H_2等离子体处理,在柔性基板上增强了非晶硅太阳能电池(110℃)的性能
机译:在H_2 / He或H_2 / Ar混合物中通过大气压等离子体处理非晶硅的低温结晶
机译:通过多孔硅和溅射沉积TiO_2:Cr钝化层的双重处理提高多晶硅中的少数载流子寿命
机译:NH_3等离子体对硅表面钝化的有效界面改性,适用于非常低的温度
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:等离子体增强原子层沉积法制备硅衬底上Al2O3膜的均匀性和钝化研究
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积生长保形氢化非晶硅层的有效钝化黑色硅表面