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马振昌;
硅; 界面控制层; 钝化; 空气; 铟; 镓; 砷; 表面;
机译:使用超薄15 nm ALD-Al_2O_3表面钝化技术提高了基于InAlAs / InGaAs InP的HEMT的DC和RF性能
机译:通过使用催化化学气相沉积SiN_x层和超薄SiO_x膜,对具有化学稳定性和光学透明性的结晶硅进行高质量的表面钝化
机译:GaAs量子线晶体管中的表面感应大侧选通现象及其使用Si界面控制层的表面钝化去除
机译:使用超薄Si界面控制层的钝化技术,用于空气暴露的InGaAs表面
机译:使用光载流子放射技术表征氢化非晶硅对晶体硅的表面钝化。
机译:隧穿原子层沉积氧化铝:硅结的表面钝化的相关结构/电性能研究
机译:超薄原子层沉积的TiOx层对晶体硅表面的有效钝化
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:使用中间超薄氧化硅层和外钝化介电层钝化硅表面
机译:用于从太阳能产生电流的半导体器件,即基于单晶硅或多晶硅的太阳能电池,具有氧化铝钝化层,该钝化层包括施加在基板表面上的铍,镓或铁离子层
机译:包括硅层和钝化层的层系统,在硅层上产生钝化层的方法以及所述系统和方法的使用
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