机译:多能氮离子注入法选择性隔离β-Ga_2O_3
Leibniz Inst Hochstfrequenztech, Ferdinand Braun Inst, Gustav Kirchhoff Str 4, D-12489 Berlin, Germany;
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Leibniz Inst Kristallzuchtung IKZ, Max Born Str 2, D-12489 Berlin, Germany;
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机译:载体捕获由氮气植入损坏的β-GA_2O_3肖特基阻隔二极管的动力学,深层和隔离性能
机译:埋藏氮植入β-GA_2O_3陷阱状态的特征
机译:低能量横截面阴极致发光,Si离子注入β-GA_2O_3点缺陷的深度分布分析
机译:具有氮掺杂电流阻断器的垂直三离子注入β-Ga_2O_3MOSFET
机译:离子注入用于抑制点腐蚀的应用:铝的钨束注入和304L不锈钢的氮等离子体离子注入。
机译:邻二甲苯基乙二醇的唾液酸单酯的合成和分子内糖基化。供体构型和氮保护基对环化产率和选择性的重要性;指示乙腈参与的N-唾液酸乙酰胺的分离和表征
机译:MEV将氮离子的多重植入纯铬植入。 II。热处理对氮浓度深度分布的影响。
机译:C掺杂al(0.35)Ga(0.65)as的热稳定氧和氮注入隔离。