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CdSe nanocrystal quantum-dot memory

机译:CdSe纳米晶体量子点存储器

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摘要

Memory effects in the electronic transport in CdSe nanocrystal (NC) quantum-dot arrays have been observed and characterized. Conduction through a NC array can be reduced with a negative voltage and then restored with a positive voltage. Light can also be used to restore or even increase the NC array conduction. We have studied the switching of the conduction in CdSe NC arrays and found the behavior to be highly sensitive to the value and duration of the laser and voltage pulses.
机译:已经观察到并表征了CdSe纳米晶体(NC)量子点阵列中电子传输中的记忆效应。通过NC阵列的传导可以用负电压减少,然后用正电压恢复。光还可以用于恢复甚至增加NC阵列的导通。我们研究了CdSe NC阵列中的导通开关,发现其行为对激光和电压脉冲的值和持续时间高度敏感。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2005年第19期|p.193106.1-193106.3|共3页
  • 作者

    M. D. Fischbein; M. Drndic;

  • 作者单位

    Department of Physics and Astronomy, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania 19104;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

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