机译:原子层沉积Al_2O_3作为栅介质的增强型GaAs金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:原子层沉积Al_2O_3栅电介质增强型InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管的电容电压研究
机译:以原子层沉积的Al_2O_3作为栅极电介质的GaAs(111)A表面上的金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有原子层沉积的Al_2O_3电介质的增强模式InP n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有原子层沉积的Al_2O_3栅极介电层的InAs沟道金属氧化物半导体HEMT
机译:使用III-V半导体在原子层上沉积高k栅极电介质的MOS接口的研究。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:通过原子层沉积生长具有氧化物栅极电介质的耗尽型InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管