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Physics and technology of high-k gate dielectrics 7
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1.
Interface and Bulk Properties of MBE-Grown Rare-Earth Metal Oxides on Silicon
机译:
硅上MBE生长的稀土金属氧化物的界面和体积性质
作者:
Y. Y. Gomeniuk
;
Y. V. Gomeniuk
;
A. N. Nazarov
;
V. S. Lysenko
;
H. J. Osten
;
A. Laha
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
2.
Long TDDB Lifetime of SiO_2 film by Controlling Degradation Rate and SiO_2/Si Micro-roughness
机译:
通过控制降解速率和SiO_2 / Si微粗糙度,延长SiO_2薄膜的TDDB寿命
作者:
Y. Kabe
;
J. Kitagawa
;
Y. Hirota
;
S. Sato
;
M. Sometani
;
R. Hasunuma
;
K. Yamabe
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
3.
Small Signal Response of Inversion Layers in High Mobility In_(0.53)Ga_(0.47)As MOSFETs Made with Thin High-κ Dielectrics
机译:
高迁移率薄In-(0.53)Ga_(0.47)As MOSFET中的反转层的小信号响应
作者:
A. Ali
;
H. Madan
;
S. Koveshnikov
;
S. Datta
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
4.
High-k Dielectrics for Ge, III-V and Graphene MOSFETs
机译:
用于Ge,III-V和石墨烯MOSFET的高k电介质
作者:
S. Banerjee
;
E. Tutuc
;
S. Kim
;
T. Akyol
;
M. Jamil
;
D. Shahrjerdi
;
J. Donnelly
;
L. Colombo
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
5.
Interface Engineering of a Metal/ High-k/ Semiconductor Layered Structure by Water Vapor Discharge
机译:
水蒸气放电对金属/高k /半导体层状结构的界面工程
作者:
Kouichi Muraoka
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
6.
Comparison of Lateral Non-uniformity Phenomena between HfO_2 and SiOi from Magnified C-V Curves in Inversion Region
机译:
从反演区放大C-V曲线看HfO_2和SiOi的横向非均匀现象
作者:
J. Y. Cheng
;
C. T. Huang
;
H. T. Lu
;
J. G. Hwu
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
7.
Solution-Based Fabrication of High-k Dielectrics Using Oxide Nanosheets
机译:
使用氧化物纳米片的基于溶液的高k电介质制造
作者:
Minoru Osada
;
Kosho Akatsuka
;
Yasuo Ebina
;
Hiroshi Funakubo
;
Kazunori Takada
;
Takayoshi Sasaki
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
8.
Progress Towards Passivation of High-Mobility Channels
机译:
高迁移率通道钝化的进展
作者:
M. Houssa
;
V.V. Afanasev
;
A. Stesmans
;
M. Meuris
;
M.M. Heyns
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
9.
Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100)/Si(100) Structures using Absorbed Electron Imaging System
机译:
利用吸收电子成像系统诱导CeO_2(100)/ Si(100)结构的电子束定向取向外延生长
作者:
T. Inoue
;
S. Shida
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
10.
Structural and Electrical Properties of HfO_2-In_xGa_(1-x)As structures (x: 0, 0.15, 0.3 and 0.53)
机译:
HfO_2 / n-In_xGa_(1-x)As结构的结构和电性能(x:0、0.15、0.3和0.53)
作者:
P.K. Hurley
;
E. OConnor
;
S. Monaghan
;
R. D. Long
;
A. OMahony
;
I. M. Povey
;
K. Cherkaoui
;
J. MacHale
;
A.J. Quinn
;
G. Brammertz
;
M. Heyns
;
S. B. Newcomb
;
V. V. Afanasev
;
A. M. Sonnet
;
R. V. Galatage
;
M. N. Jivani
;
E. M. Vogel
;
R. M. Wallace
;
M. E. Pemble
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
11.
Stable HfO_2-based Layers Fabricated by RF Magnetron Sputtering
机译:
射频磁控溅射制备稳定的基于HfO_2的层
作者:
L. Khomenkova
;
C. Dufour
;
P.-E. Coulon
;
C. Bonafos
;
F. Gourbilleau
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
12.
Formation And Characterization of Thin Silicon Dioxide Films Obtained by Inductively-Coupled High-Density Plasmas Using a Dual Rotated Spiral Antenna System
机译:
使用双旋转螺旋天线系统的电感耦合高密度等离子体获得的二氧化硅薄膜的形成和表征
作者:
Yil Wook Kim
;
Sang Ho Woo
;
Hai-Won Kim
;
Pyung Yong Um
;
Jung-Min Ji
;
Chang-Koo Kim
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
13.
Anomalous V_(FB) Shift in High-k Gate Stacks: Is its origin at the top or bottom interface?
机译:
高k门叠中的异常V_(FB)偏移:它的起源是在顶部还是底部接口?
作者:
Akira Toriumi
;
Toshihide Nabatame
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
14.
Impact of Alkali Earth Elements Incorporation on Electrical Characteristics of La_2O_3 Gated MOS Device
机译:
碱土元素的掺入对La_2O_3门控MOS器件电学特性的影响
作者:
T. Koyanagi
;
K. Okamoto
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
A. Nishiyama
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
15.
Work Function Control on High K Metal Gate Stacks
机译:
高K金属栅叠层的功函数控制
作者:
John Robertson
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
16.
Effects of the Inductively Coupled Plasma Nitridation Process on the Reliability of HfAlO_x Thin Films
机译:
电感耦合等离子体氮化工艺对HfAlO_x薄膜可靠性的影响
作者:
K. Chang
;
B. Chen
;
M. Su
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
17.
Demonstration of Transconductance Enhancement on (110) and (001) Strained- Nanowire FETs
机译:
在(110)和(001)应变纳米线FET上演示跨导增强
作者:
A. Seike
;
H. Takai
;
I. Tsuchida
;
J. Masuda
;
D. Kosemura
;
A. Ogura
;
T. Watanabe
;
I. Ohdomari
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
18.
Electrochemical Reactions in Nanoionics - Towards Future Resistive Switching Memories
机译:
纳米离子中的电化学反应-面向未来的电阻开关存储器
作者:
Rainer Waser
;
Ilia Valov
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
19.
Nonvolatile Memory Capacitors Based on Double Gold nanocrystals and HfO_2 Tunneling and HfNO/HfTiO Laminate Control High-k Insulator Layers
机译:
基于双金纳米晶体和HfO_2隧穿和HfNO / HfTiO层压控制高k绝缘层的非易失性存储电容器
作者:
V. Mikhelashvili
;
B. Meyler
;
S. Yofis
;
J. Salzman
;
M. Garbrecht
;
T. Cohen-Hyams
;
W. Kaplan
;
G. Eisenstein
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
20.
Characterization of Stacked Hafnium Oxide (HfO_2) / Silicon Dioxide (SiO_2) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Tunneling Temperature Sensors
机译:
堆叠式氧化Ha(HfO_2)/二氧化硅(SiO_2)金属氧化物半导体(MOS)隧道温度传感器的特性
作者:
Chih-Yao Wang
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
21.
High-κ Dielectrics and Interface Passivation for Ge and III/V Devices on Silicon for advanced CMOS
机译:
用于高级CMOS的硅上Ge和III / V器件的高κ电介质和界面钝化
作者:
Marc Heyns
;
Florence Bellenger
;
Guy Brammertz
;
Matty Caymax
;
Brice De Jaeger
;
Annelies Delabie
;
Geert Eneman
;
Michel Houssa
;
Dennis Lin
;
Koen Martens
;
Clement Merckling
;
Marc Meuris
;
Jerome Mitard
;
Julien Penaud
;
Geoffrey Pourtois
;
Marco Scarrozza
;
Eddy Simoen
;
Sonja Sion
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
22.
Electrical Properties of Lantbanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge
机译:
直接沉积在锗上的scan-date栅电介质的电学性质
作者:
M. K. Bera
;
J. Song
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
23.
Effects of the Semiconductor Substrate Material on the Post-Breakdown Current of MgO Dielectric Layers
机译:
半导体衬底材料对MgO介电层击穿后电流的影响
作者:
E. Miranda
;
E. OConnor
;
G. Hughes
;
P. Casey
;
K. Cherkaoui
;
S. Monaghan
;
R. D. Long
;
D. OConnell
;
P.K. Hurley
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
24.
InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs with Atomic-Layer-Deposited Al_2O_3 Gate Dielectric
机译:
具有原子层沉积的Al_2O_3栅极介电层的InAs沟道金属氧化物半导体HEMT
作者:
Chia-Yuan Chang
;
Edward Yi Chang
;
Wei-Ching Huang
;
Yung-Hsuan Su
;
Hai-Dang Trinh
;
Heng-Tung Hsu
;
Yasuyuki Miyamoto
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
25.
DLTS of ALD HfO_2 on s-Si/SiGe/Si: Effects of s-Si Thickness and Surface Nitridation
机译:
ALD HfO_2在s-Si / SiGe / Si上的DLTS:s-Si厚度和表面氮化的影响
作者:
Liya Yu
;
George Rozgonyi
;
Pragya Shrestha
;
Diefeng Gu
;
H. Baumgart
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
26.
Nature of Interface Traps in Si/SiO_2/HfO_2 /TiN Gate Stacks and its Correlation with the Flat-Band Voltage Roll-Of
机译:
Si / SiO_2 / HfO_2 / TiN栅堆叠中界面陷阱的性质及其与平带电压滚降的关系
作者:
Samares Kar
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
27.
Transition Metal Binary Oxides For ReRAM Applications
机译:
用于ReRAM应用的过渡金属二元氧化物
作者:
S. Spiga
;
A. Lamperti
;
E. Cianci
;
F. G. Volpe
;
M. Fanciulli
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
28.
Electron-Phonon Scattering Effect on Strained Si Nanowire FETs at Low Temperature
机译:
低温下应变硅纳米线FET的电子声子散射效应
作者:
I. Tsuchida
;
A. Seike
;
H. Takai
;
J. Masuda
;
D. Kosemura
;
A. Ogura
;
T. Watanabe
;
I. Ohdomari
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
29.
Improved Device Characteristics in Charge-Trapping-Engineered Flash Memory Using High-κ Dielectrics
机译:
使用高κ电介质改善电荷陷阱工程闪存中的器件特性
作者:
Albert Chin
;
S. H. Lin
;
C. Y. Tsai
;
F. S. Yeh
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
30.
Failure Analysis of Single and Dual nc-ITO Embedded ZrHfO High-k Nonvolatile Memories
机译:
单和双nc-ITO嵌入式ZrHfO高k非易失性存储器的故障分析
作者:
Chia-Han Yang
;
Yue Kuo
;
Chen-Han Lin
;
Way Kuo
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
31.
Application of ALD high-k Dielectric Films as Charge Storage Layer and Blocking Oxide in Nonvolatile Memories
机译:
ALD高k介电膜作为电荷存储层和阻挡氧化物在非易失性存储器中的应用
作者:
Xiaoxiao Zhu
;
Diefeng Gu
;
Qiliang Li
;
H. Baumgart
;
D.E. Ioannou
;
J.S. Suehle
;
C.A. Richter
会议名称:
《》
|
2009年
32.
Metal/High-k/Metal Nanocrystal/SiO_2 Gate Stacks for NAND Flash Applications
机译:
用于NAND闪存应用的金属/高k /金属纳米晶体/ SiO_2栅堆叠
作者:
Souvik Mahapatra
;
Pawan K. Singh
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
33.
Low Temperature Fabrication of AlN/Ge Structure Using Electron Cyclotron Resonance Plasma Nitridation
机译:
电子回旋共振等离子体氮化低温制备AlN / Ge结构
作者:
J. Kishiwada
;
Nurbaizura M
;
Y. Oniki
;
Y. Iwazaki
;
T. Ueno
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
34.
Annealing-temperature Dependence of Compositional Depth Profiles and Chemical Bonding States of CeOx/LaOx/Si and LaOx/CeOx/Si Structure
机译:
CeOx / LaOx / Si和LaOx / CeOx / Si结构的成分深度分布和化学键合态的退火温度依赖性
作者:
H. Nohira
;
Y. Kon
;
K. Kitamura
;
M. Kouda
;
K. Kakushima
;
H. Iwai
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
35.
Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La_2O_3 MOS Capacitors
机译:
La_2O_3 MOS电容器的晶体学取向相关电特性
作者:
H. Nakayama
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
E. Ikenaga
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
36.
Group-II Hafnate and Zirconate High-k Dielectrics for MIM Storage Capacitors in DRAM: the Defect Issue
机译:
用于DRAM中MIM存储电容器的II类Hafnate和Zirconate High-k电介质:缺陷问题
作者:
J. Dabrowski
;
P. Dudek
;
G. Kozlowski
;
G. Lupina
;
G. Lippert
;
R. Schmidt
;
Ch. Walczyk
;
Ch. Wenger
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
37.
Impact of Voltage and Current Stress on TiN/HfSi_xO_y/TiN MIM Capacitors
机译:
电压和电流应力对TiN / HfSi_xO_y / TiN MIM电容器的影响
作者:
K. Jyothi
;
A.N. Chandorkar
;
D. Misra
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
38.
Electrical Characteristics of HfO_2 and La_2O_3 Gate Dielectrics for In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS Structure
机译:
In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS结构的HfO_2和La_2O_3栅极电介质的电学特性
作者:
K. Funamizu
;
Y.C. Lin
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
K. Tsutsui
;
N. Sugii
;
E.Y. Chang
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
39.
Nitrogen Incorporation in Al_2O_3 Thin Films Prepared by Pulsed Ultrasonic Sprayed Pyrolysis
机译:
脉冲超声喷涂热解法制备Al_2O_3薄膜中的氮掺入
作者:
S. Carmona-Tellez
;
C. Palacio
;
S. Gallardo
;
Z. Rivera
;
M. Aguilar-Frutis
;
M. Garcia-Hipolito
;
G. Alarcon-Flores
;
C. Falcony
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
40.
High Density MIM Capacitors Using HfAlO_x
机译:
使用HfAlO_x的高密度MIM电容器
作者:
M.K. Hota
;
C. Mahata
;
C. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
41.
Physical and Electrical Characterization of Fluorine Plasma Treated Hafnium Oxide Film for High Density Metal-Insulator-Metal Capacitors
机译:
高密度金属-绝缘子-金属电容器用氟等离子体处理的氧化Ha薄膜的物理和电学特性
作者:
Shi-Jin Ding
;
Yu-Jian Huang
;
Qing-Qing Sun
;
Wei Zhang
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
42.
Barrier Characterization At Interfaces Of High-Mobility Semiconductors With Oxide Insulators
机译:
高迁移率半导体与氧化物绝缘子的界面的势垒表征
作者:
V. V. Afanasev
;
A. Stesmans
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
43.
Defects Generation under Constant Voltage Stress in La_2O_3/HfO_2 Gate Stacks Grown on Ge Substrates
机译:
Ge衬底上生长的La_2O_3 / HfO_2栅堆叠中恒定电压应力下的缺陷产生
作者:
E. K. Evangelou
;
M. S. Rahman
;
A. Dimoulas
;
S. Galata
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
44.
Modeling of Alternative High-κ Dielectrics for Memory Based Applications
机译:
基于存储器的替代高k电介质建模
作者:
G. Pourtois
;
S. Clima
;
K. Sankaran
;
P. Delugas
;
V. Fiorentini
;
W. Magnus
;
B. Soree
;
S. Van Elshocht
;
C. Adelman
;
J. Van Houdt
;
D. Wouters
;
S. De Gendt
;
M. M. Heyns
;
J.A. Kittl
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
|
2009年
45.
Dielectric Properties of Thin Hf- and Zr-based Alkaline Earth Perovskite Layers
机译:
H和锆基碱土钙钛矿薄层的介电性能
作者:
G. Lupina
;
P. Dudek
;
G. Kozlowski
;
J. Dabrowski
;
G. Lippert
;
H.-J. Muessig
;
T. Schroeder
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
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2009年
46.
Structure of Hafnium Silicate Films Formed by Atomic Layer Deposition
机译:
原子层沉积形成硅酸Ha薄膜的结构
作者:
J. Liu
;
X. Wu
;
W.N. Lennard
;
D. Landheer
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
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2009年
47.
Flat-Band Voltage and Structural Properties of Hafnium Dioxide Films Grown by Liquid-Injection MOCVD
机译:
液体注入MOCVD生长的二氧化Ha薄膜的平带电压和结构特性
作者:
F. Ducroquet
;
E. Rauwel
;
C. Dubourdieu
会议名称:
《Physics and technology of high-k gate dielectrics 7》
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2009年
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