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1.2.2 p-GaN E-HEMT的研究概况
1.3论文设计与工作安排
8.2未来展望
钟耀宗;
中国科学技术大学;
机译:外延层晶体质量对蓝宝石衬底上AlGaN / GaN短栅高电子迁移率晶体管的DC和RF特性的影响
机译:等离子体辅助分子束外延生长的n〜+ -GaN用于Al_(0.15)Ga_(0.85)N / GaN高电子迁移率晶体管的Ti基非合金欧姆接触
机译:具有P型GaN盖层的Si衬底上基于增强模式GaN的高电子迁移率晶体管
机译:GaN缓冲层厚度对基于AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的影响,等离子体辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的
机译:GaN基高电子迁移率晶体管的制造和表征。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:新型高性能AlGaN / GaN基增强型金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
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