机译:Si / SiO_2界面上的电子和空穴迁移率具有巨大的谷值分裂
Department of Physics, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan,Department of Physics, University of Bath, Bath BA2 7AY, United Kingdom,FUJITSU LABORATORIES LTD., Atusgi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Department of Physics, University of Bath, Bath BA2 7AY, United Kingdom;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan,Faculty of Engineering, University of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama, Toyama 930-8555, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
Department of Physics, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan,ERATO Nuclear Spin Electronics Project, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan;
机译:Si / SiO2界面上的电子和空穴迁移率具有巨大的谷值分裂
机译:扩展的界面状态增强了Si / SiO_2中的波谷分裂
机译:从界面到表面的直接充电器转移电子和孔的高效空间分离:将TiO2-C复合材料中的Ti-C键合界面的构建为光催化水分裂
机译:SiC / SiO_2接口电子移动性的半实证模型
机译:非晶硒膜中电子和孔的漂移能力和空间电荷受限的电流。
机译:BiVO4 / Bi4V2O11界面上的空穴反转层可产生高可调光电压用于水分解
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