退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
尚也淳; 张义门; 张玉明;
西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071;
6H-SiC,反型层迁移率,表面粗糙散射,指数模型;
机译:SiO2 / SiC界面氮注入对4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管沟道中电子迁移率和自由载流子密度的影响
机译:N沟道场效应迁移率与SiO2 / 4H-SiC界面的导带边缘处的界面态密度成反比
机译:界面粗糙度散射对具有高k电介质/ SiO2栅堆叠的SiGe p-MOSFET迁移率降低的影响
机译:Si / SiO2界面应变引起的NMOS反型沟道电子迁移率变化的研究
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:从具有粗糙粗糙分形界面的多层散射的摄动理论:遥感应用
机译:应变SiGe p沟道场效应结构中与波函数有关的迁移率和界面粗糙度散射的抑制
机译:近界面网络应变对siO2中质子迁移率的影响
机译:通过用铯离子处理氧化物界面形成具有高沟道迁移率的SiC MOSFET
机译:具有高沟道迁移率的SiC半导体设备
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。