机译:通过分子束外延在Si(001)上重掺杂n掺杂的GaAs纳米管的选择性区域生长
Department of Electrical Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA;
Departments of Physics/Materials Science and Engineering, Boise State University, Boise, Idaho 83725, USA;
Department of Materials Science and Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA;
Department of Materials Science and Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA;
Department of Electrical Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA;
机译:通过分子束外延在图案化的GaAs(001)衬底上ZnSe的选择性区域生长
机译:分子束外延中束致横向外延在(001)GaAs衬底上的生长机理
机译:利用分子束外延在深介电窗中GaAs的选择性区域外延生长
机译:Inp 001衬底上InGaAs量子线阵列的选择性分子束外延生长中生长模式和线宽的控制
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:分子束外延对Si(001)的重质N-掺杂GaAsnostubs的选择性区生长