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Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th

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召开地：Stockholm
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1.High frequency performance of sb-heterostructure millimeter-wave diodes

机译：锑异质结构毫米波二极管的高频性能
- 作者：Schulman;J.N.;Thomas;S.;Chow;D.H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
2.High gain, high efficiency vertical-cavity semiconductor optical amplifiers

机译：高增益，高效率垂直腔半导体光放大器
- 作者：Bjorlin E.S.;Abraham P.;Pasquariello D.;Piprek J.;Yi-Jen Chiu;Bowers J.E.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
3.High in content GaInAsN on InP: composition dependent band gap energy and luminescence properties

机译：InP上的GaInAsN含量高：取决于成分的带隙能和发光特性
- 作者：Serries;D.;Geppert;T.;Ganser;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
4.High performance 1.32/spl mu/m GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy

机译：通过分子束外延生长的高性能1.32 / spl mu / m GaInNAs / GaAs单量子阱激光器
- 作者：Wei Li;Konttinen;J.;Chang Si Peng
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
5.High reliability of 0.07 /spl mu/m pseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs on 3-inch InP substrates

机译：在3英寸InP基板上具有0.07 / spl mu / m的准晶格InGaAs / InAlAs / InP HEMT MMIC的高可靠性
- 作者：Chou;Y.C.;Leung;D.;Lai;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
6.High-density electron gas induced by atonfic ordering in undoped Ga/sub 0.5/In/sub 0.5/P/GaAs heterostructure

机译：非掺杂Ga / sub 0.5 / In / sub 0.5 / P / GaAs异质结构中无序有序诱导的高密度电子气
- 作者：Yamashita;K.;Matsuura;Y.;Kita;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
7.High-performance 1.2-/spl mu/m highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers

机译：高性能1.2- / spl mu / m高应变InGaAs / GaAs量子阱激光器
- 作者：Mogg;S.;Plaine;G.;Asplund;C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
8.High-performance all-active tapered 1550 nm InGaAsP-BH-FP lasers

机译：高性能全有源锥形1550 nm InGaAsP-BH-FP激光器
- 作者：Mohrle M.;Roehle H.;Sigmund A.;Suna A.;Reier F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
9.High-power high-efficiency superluminescent diodes with j-shaped ridge waveguide structure

机译：具有J形脊形波导结构的大功率高效超发光二极管
- 作者：Liang;J-H.;Maruyama;T.;Ogawa;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
10.High-quality 1.3-/spl mu/ m AlGaInAs MQW by narrow-stripe selective metalorganic vapor-phased epitaxy and its application in buried heterostructure laser diodes

机译：窄条选择性金属有机气相外延法制备高质量的1.3- / splμm/ m AlGaInAs MQW及其在掩埋异质结构激光二极管中的应用
- 作者：Nakamura;T.;Ohsawa;Y.;Okuda;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
11.Hydrogen sensitivity of InP HEMTs with WSiN-based gate stack

机译：具有基于WSiN的栅堆叠的InP HEMT的氢敏感性
- 作者：Mertens;S.D.;del Alamo;J.A.;Suemitsu;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
12.III-V nitride electronics

机译：III-V族氮化物电子产品
- 作者：Pavlidis;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
13.Importance of gate-recess structure to the cutoff frequency of ultra-high-speed InGaAs/InAlAs HEMTs

机译：栅极凹槽结构对超高速InGaAs / InAlAs HEMT截止频率的重要性
- 作者：Shinohara;K.;Yamashita;Y.;Endoh;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
14.Improved p-doping profiles in lasers and modulators

机译：改善激光器和调制器中的p掺杂分布
- 作者：Haysom J.E.;Glew R.;Blaauw C.;Driad R.;MacQuistan D.;Hampel C.A.;Greenspan J.;Bryskiewicz T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
15.Improved performance of InGaAsN/GaAs lasers with low temperature grown quantum well by MOCVD

机译：通过MOCVD改善具有低温生长量子阱的InGaAsN / GaAs激光器的性能
- 作者：Yeh N.-T.;Wu B.-R.;Ho W.-J.;Chyi J.-I.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
16.Improved photolumineseence and lasing performances of MOVPE grown GaInAsN-based long wavelength lasers

机译：MOVPE生长的基于GaInAsN的长波长激光器的光致发光和激光性能提高
- 作者：Gouardes;E.;Alexandre;F.;Gauthier-Lafaye;O.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
17.Improvement of the high frequency performance of hemts by bufferless technology

机译：通过无缓冲技术改善hemts的高频性能
- 作者：Mateos;J.;Gonzalez;T.;Pardo;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
18.INAS self-assembled quantum dot lasers grown on 100 InP

机译：在100 InP上生长的INAS自组装量子点激光器
- 作者：Poole;P.J.;Allen;C.Ni.;Marshall;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
19.Inas-qd growth and its application for long-wavelength lasers

机译：Inas-qd生长及其在长波长激光器中的应用
- 作者：Saito H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
20.Influence of si-donor doping on the exciton localization in modulation doped GaN/Al/sub 0.07/Ga/sub 0.93 multiple quantum well

机译：Si-施主掺杂对调制掺杂的GaN / Al / sub 0.07 / Ga / sub 0.93多量子阱中激子局部化的影响
- 作者：Haratizadeh;H.;Paskov;P.P.;Pozina;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
21.INGAAS pin detectors for frequencies above 100 ghz

机译：INGAAS引脚检测器，频率高于100 ghz
- 作者：Agethen;M.;Keiper;D.;Janssen;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
22.InGaAsP Ex-situ characterization

机译：InGaAsP异位表征
- 作者：Roshko;A.;Bertness;K.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
23.InGaP/GaAsSb/GaAs DHBTs with low turn-on voltage and high current gain

机译：InGaP / GaAsSb / GaAs DHBT具有低开启电压和高电流增益
- 作者：Yan;B.P.;Hsu;C.C.;Wang;X.Q.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
24.Innovative nitride passivation of 0.1 /spl mu/m InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using high-density inductively coupled plasma CVD (HD-ICP-CVD)

机译：使用高密度感应耦合等离子体CVD（HD-ICP-CVD）对0.1 / spl mu / m InGaAs / InAlAs / InP HEMT进行创新的氮化物钝化
- 作者：Chou;Y.C.;Lai;R.;Li;G.P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
25.InP based HEMT technologies toward 100 Gbit/s ICs

机译：基于InP的HEMT技术面向100 Gbit / s IC
- 作者：Enoki;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
26.InP HEMT and HBT applications beyond 200 ghz

机译：超过200 GHz的InP HEMT和HBT应用
- 作者：Streit;D.;Lai;R.;Oki;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
27.InP hemt-based, cryogenic, wideband LNAs for 4-8 GHz operating at very low DC-power

机译：适用于4-8 GHz的基于InP hemt的低温宽带LNA，以非常低的DC功率运行
- 作者：Mellberg;A.;Wadefalk;N.;Rorsman;N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
28.InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (GHBT) with an emitter tunneling barrier and composite collector structure

机译：具有发射极隧穿势垒和复合集电极结构的InP / InGaAs双异质结双极晶体管（GHBT）
- 作者：Chiou;W.H.;Chen;C.Y.;Wang;C.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
29.InP/InGaAs-based metamorphic hbt material grown in multi-wafer production mbe system

机译：在多晶片生产MBE系统中生长的基于InP / InGaAs的变质HBT材料
- 作者：Bove;P.;Lahreche;H.;Langer;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
30.InP-based devices for future photonic networks

机译：基于InP的设备可用于未来的光子网络
- 作者：Erman;M.;Scavennec;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
31.InP-based fine-structuring techniques for photonic devices

机译：基于InP的光子器件精细构造技术
- 作者：Arai;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
32.In-situ etching of inp and related materials in movpe chamber using

机译：使用移动式腔室原位蚀刻inp和相关材料
- 作者：Ougazzaden;A.;Peticolas;L.;Rader;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
33.Intersubband and interband optical absorption study of strain-compensated InGaAs-InGaP superlattices grown on GaAs

机译：GaAs上生长的应变补偿InGaAs-InGaP超晶格的子带间和带间光吸收研究
- 作者：Semtsiv M.P.;Tarasov G.G.;Kissel H.;Eickemeyer F.;Masselink W.T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
34.Investigations of growth conditions for inp suited for micro opto electro mechanical systems for data communication

机译：适用于数据通信的微光电机电系统的inp的生长条件的研究
- 作者：Strassner M.;Chitica N.;Tarraf A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
35.Large blue shift in gainasp/inp vertically-stacked multiple-quantum-wire lasers by dry etching and regrowth processes

机译：通过干法刻蚀和再生长工艺，在垂直堆叠的多量子线激光器中获得大增益蓝移
- 作者：Yagi H.;Muranushi K.;Nunoya N.;Sano T.;Tamura S.;Arai S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
36.Lasing operation under pulsed optical pumping of 1.55/spl mu/m external cavity vcsels using an InP/AlGaInAs bottom bragg reflector

机译：使用InP / AlGaInAs底部布拉格反射器在1.55 / spl mu / m外腔vcsels的脉冲光泵浦下进行激光操作
- 作者：Symonds;C.;Saint-Girons;G.;Sagnes;I.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
37.Liong wavelength GaInNAs(Sb) lasers on GaAs

机译：GaAs上的长波长GaInNAs（Sb）激光器
- 作者：Wonill Ha;Gambin;V.;Bank;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
38.Low noise characteristics of double-doped In/sub 0.52/Al/sub 0m48/As/In/sub 0/53/Ga/sub 0.47/As power metamorphic hemt on gaas substrate with wide head t-shaped gate

机译：具有宽头t形栅极的gaas衬底上双掺杂In / sub 0.52 / Al / sub 0m48 / As / In / sub 0/53 / Ga / sub 0.47 / As功率变质堆的低噪声特性
- 作者：Hyung Sup Yoon;Jin Hee Lee;Jae Yeob Shim
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
39.Low size dispersion of inas quantum islands emitting at 1.55/spl mu/m on InP 001

机译：在InP上以1.55 / spl mu / m发射的inas量子岛的小尺寸色散001
- 作者：Monat C.;Gendry M.;Brault J.;Besland M.P.;Regreny P.;Hollinger G.;Salem B.;Olivares J.;Bremond G.;Marty O.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
40.Low threshold efficient sb-based type-I quanturn-well vcsel ernitting in the /spl lambda/ 2-2.5/spl mu/m range

机译：在/ spl lambda / 2-2.5 / spl mu / m范围内的低阈值有效基于sb的I型量子阱vcsel发光
- 作者：Cerutti;L.;Garnache;A.;Genty;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
41.Low threshold operation of membrane buried -heterostructure distributed feedback laser

机译：膜埋-异质结构分布式反馈激光器的低阈值操作
- 作者：Okamoto;T.;Nunoya;N.;Onodera;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
42.Low-temperature-grown 1.55 /spl mu/m GaInAs//AlInAs quantum wells for optical switching: MBE growth and optical response

机译：低温生长的1.55 / spl mu / m GaInAs // AlInAs量子阱，用于光开关：MBE生长和光响应
- 作者：Kuenzel;H.;Biermann;K.;Boettcher;J.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
43.Metamorphic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors under high-current and high temperature stress

机译：高电流和高温应力下的变质InP / InGaAs异质结双极晶体管
- 作者：Hong Yang;Hong Wang;Radhakrishnan;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
44.Micro-raman and photoluminescence characterization of polycrystallization in bulk In/sub x/Ga/sub 1-x/As Crystals

机译：In / sub x / Ga / sub 1-x / As晶体中多晶的微拉曼光谱和光致发光特性
- 作者：Islam;M.R.;Suzuki;M.;Verma;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
45.Molecular beam epitaxial growth and characterization of In/sub 1-x/Ga/sub x/As/sub 1-y/Sb/sub y//In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As strained quantum well structures on InP substrates

机译：InP衬底上In / sub 1-x / Ga / sub x / As / sub 1-y / Sb / sub y // In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As应变量子阱结构的分子束外延生长和表征
- 作者：Arnaw;M.;Kawamura;Y.;Fujimoto;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
46.Molecular beam epitaxial growth and rapid thermal annealing effect of digital-alloy (In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As)/sub 1-z/(In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As)/sub z/ lattice-matched to InP for 1.3-1.55 /spl mu/m multi-quantum wells

机译：数字合金（In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As）/ sub 1-z /（In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As）/ sub z /晶格的分子束外延生长和快速热退火效应-与InP匹配，用于1.3-1.55 / splμ/ m多量子阱
- 作者：Jin Dong Song;Jong Min Kim;Jae Su Yu
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
47.Monte carlo study of electron transport in AlSb/InAs HEMTs structures

机译：蒙特卡洛研究AlSb / InAs HEMTs结构中电子的输运
- 作者：Thobel;J.-L.;Bonno;O.;Boutry;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
48.Morphological instability of GaInNAs quantum wells on AlGaAs/GaAs distributed bragg reflectors grown by metal-organic vapor phase epitaxy

机译：金属有机气相外延生长的AlGaAs / GaAs分布布拉格反射器上GaInNAs量子阱的形貌不稳定性
- 作者：Sundgren;P.;Asplund;C.;Baskar;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
49.MOVPE growth and polarisation dependence of (dis-)ordered InGaAsP pin diodes for optical fibre applications

机译：用于光纤应用的（无序）InGaAsP pin二极管的MOVPE生长和偏振相关性
- 作者：Neumann S.;Spieler J.;Blache R.;Kiesel P.;Prost W.;Dohler G.H.;Tegude F.-J.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
50.MOVPE-based in-situ etching of InP epitaxial heterostructures

机译：基于MOVPE的InP外延异质结构的原位蚀刻
- 作者：Wolfram;P.;Franke;D.;Ebert;W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
51.MSI InP/InGaAs DHBT technology : beyond 40 Gbit/s circuits

机译：MSI InP / InGaAs DHBT技术：超过40 Gbit / s的电路
- 作者：Blayac;S.;Riet;M.;Benchimol;J.L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
52.Nearly chirp-free electroabsorption modulation of an InGaAsP asymmetric multi-quantum-well structure

机译：InGaAsP不对称多量子阱结构的几乎无chi电吸收调制
- 作者：Lay;T.S.;Fan;H.R;Hsu;H.T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
53.Negative transconductance in trench-type InGaAs/InAlAs quantum wire FET

机译：沟槽型InGaAs / InAlAs量子线FET中的负跨导
- 作者：Kee-Youn Jang;Sugaya;T.;Cheol-Koo Hahn
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
54.Nonparabolic tendency of conduction subbands in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As multi-quantum wells by photocurrent spectroscopy

机译：In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱中传导子带的非抛物线趋势
- 作者：Tanaka;K.;Kotera;N.;Nakamura;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
55.0.1 /spl mu/m InP HEMT devices and MMICs for cryogenic low noise amplifiers from X-band to W-band

机译：适用于从X波段到W波段的低温低噪声放大器的0.1 / spl mu / m InP HEMT器件和MMIC
- 作者：Grundbacher;R.;Lai;R.;Barsky;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
56.1.2 /spl mu/m band multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array on patterned substrate

机译：在图案化衬底上的1.2 / splμ/ m带多波长GaInAs / GaAs垂直腔表面发射激光器阵列
- 作者：Arai;M.;Kondo;T.;Azuchi;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
57.1.3 /spl mu/m BH-FP laser with integrated monitor phtotdiode, 45/spl deg/ reflector for bottom side emission employing full on-wafer fabrication

机译：1.3 / spl mu / m BH-FP激光器，带有集成的光电二极管，45 / spl deg /反射镜，用于底面发射，采用完整的晶圆制造
- 作者：Janiak;K.;Albrecht;P.;Fidorra;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
58.40 gbit/s photoreceiver with dc-coupled output and operation without bias-t

机译：40 gbit / s光电接收器，具有直流耦合输出，无需偏置即可工作
- 作者：Mekonnen;G.G.;Bach;B.-G.;Schlaak;W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
59.4-inch InP crystals grown by phosphors vapor controlled LEC method

机译：通过磷光体蒸气控制LEC方法生长的4英寸InP晶体
- 作者：Noda;A.;Suzuki;K.;Arakawa;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
60.Optical 3r regeneration with single InGaAsP/InP electroabsorption modulator

机译：使用单个InGaAsP / InP电吸收调制器进行光学3r再生
- 作者：Nishimura K.;Tsurusawa M.;Usami M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
61.Optical absorption by dislocations in strongly mismatched inp and gaas on silicon

机译：硅上严重失配的inp和gaas中的位错引起的光吸收
- 作者：Peiner;E.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
62.Optical investigations on InP and GaInP quantum dots

机译：InP和GaInP量子点的光学研究
- 作者：Jetter;M.;Beime;G.;Rossi;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
63.Optimisation of abrupt emitter-base junction for heavily be-doped InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As heterojunction bipolar transistor

机译：重掺杂InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结双极晶体管的突然发射极-基极结的优化
- 作者：Lefebvre;E.;Zaknoune;M.;Mollot;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
64.Optimization and assesment of shape, alignment, and structure of InP/InGaAsP waveguide vertically coupled optical add-drop multiplexers

机译：InP / InGaAsP波导垂直耦合光分插复用器的形状，对准和结构的优化和评估
- 作者：Rabum;M.;Rauscher;K.;Okuno;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
65.Optimization of movpe-grown GaInNAs/GaAs quantum wells for 1.3/spl mu/m laser applications

机译：适用于1.3 / spl mu / m激光应用的可移动生长的GaInNAs / GaAs量子阱的优化
- 作者：Asplund;C.;Sundgren;P.;Hammar;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
66.Photoemission study of highly luminescent inp nanocrystals

机译：高发光inp纳米晶体的光发射研究
- 作者：Borchert;H.;Talapin;D.V.;Haubold;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
67.Photoluminescence behaviour of GaInNAs quantumwells annealed at high temperature

机译：GaInNAs量子阱在高温下退火的光致发光行为
- 作者：Ng;T.K.;Yoon;S.F.;Wang;S.Z.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
68.Photoluminescence topography of sulfur doped 2' inp grown by the vertical gradient freeze technique

机译：垂直梯度冻结技术生长的掺硫2“ inp的光致发光形貌
- 作者：Sahr U.;Muller G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
69.Pico-second passively mode locked surface-emitting laser with self assembled semiconductor quantum dot absorber

机译：具有自组装半导体量子点吸收器的皮秒被动模式锁定表面发射激光器
- 作者：Garnache;A.;Hoogland;S.;Tropper;A.C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
70.Polar diagram of wet-etched 100 InP

机译：湿蚀刻100 InP的极性图
- 作者：Elias;P.;Kostic;I.;Hasenohrl;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
71.Potential of on-line movpe reproducibility control of 1.3spl mu/m laser structures by optical in-situ measurements

机译：通过光学原位测量控制1.3splμm/ m激光结构的在线Mopepe重现性的潜力
- 作者：Steimetz;E.;Ebert;W.;Henninger;B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
72.Processing of imano(micro)relief InP surface for optoelectronic applications

机译：用于光电应用的Imano（微）浮雕InP表面处理
- 作者：Dmitruk;N.L.;Mayeva;O.I.;Mamontova;I.B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
73.Proton implantation for effective electrical isolation of InP, InGaAs and GaAs: role of variable doses and implant temperature

机译：质子注入可有效地电隔离InP，InGaAs和GaAs：可变剂量和注入温度的作用
- 作者：Ahmed S.;Too P.;Sealy B.J.;Gwilliam R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
74.Quality improvement of oxidized-GaAs-GaAs structure by nitrogen plasma treatment

机译：氮等离子体处理改善氧化GaAs / n-GaAs结构的质量
- 作者：Paul;N.C.;Ohta;Y.;Tezuka;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
75.Quantitative x-ray analysis of high performance InP/(InGa)As:C HBT for rapid; non-destructive material qualification

机译：高性能InP /（InGa）As：C HBT的定量X射线分析可快速进行;无损材料鉴定
- 作者：Veiling;P.;Keiper;D.;Brennemann;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
76.Raman and fir studies of optical phonons confined in InP quantum dots

机译：局限在InP量子点中的光学声子的拉曼和冷杉研究
- 作者：Vasilevsky;M.I.;Rolo;A.G.;Gomes;M.J.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
77.Rapid p-injection in-situ synthesis and growth large diameter LEC InP single crystal

机译：快速p注入原位合成和生长大直径LEC InP单晶
- 作者：Niefeng Sun;Xiawan Wu;Youwen Zhao
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
78.Reliability and low-frequency noise of InGaAsP MQW DFB lasers

机译：InGaAsP MQW DFB激光器的可靠性和低频噪声
- 作者：Letal;G.;Mallard;R.;Smetona;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
79.Reliability and packaging issues in optoelectronics

机译：光电中的可靠性和封装问题
- 作者：Fukuda;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
80.Reliability of inp-based avalanche photodiodes for high bit-rate fiber-optic communication systems

机译：基于inp的雪崩光电二极管在高比特率光纤通信系统中的可靠性
- 作者：Smetona;S.;Klunder;K.;An;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
81.Rf and microwave noise modeling of AlInAs/GaInAs/InP HFETs

机译：AlInAs / GaInAs / InP HFET的射频和微波噪声建模
- 作者：Sakalas;P.;Mellberg;A.;Zirath;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
82.Room temperature operation of TlInGaAs/InP DH laser diodes

机译：TlInGaAs / InP DH激光二极管在室温下运行
- 作者：Asahi;H.;Lee;H.J.;Mizobata;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
83.Selective area growth of InP on InP precoated silicon substrate by hydride vapor phase epitaxy

机译：氢化物气相外延在InP预涂硅衬底上InP的选择性区域生长
- 作者：Sun;Y.T.;Napierala;J.;Lourdudoss;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
84.Self-assembled quantum-dash lasers on the inp system

机译：inp系统上的自组装量子破折号激光器
- 作者：Schwertberger R.;Gold D.;Reithmaier J.P.;Forchel A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
85.Single transverse mode operation of 1.55-/spl mu/m buried heterostructure VSCELs on GaAs subsrate

机译：GaAs衬底上1.55- / spl最小掩埋异质结构VESSEL的单横向模式操作
- 作者：Ohiso;Y.;Okamoto;H.;Iga;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
86.Spectral mode dynamics of short cavity quantum-dot lasers at 1.13 /spl mu/m

机译：短腔量子点激光器在1.13 / spl mu / m处的光谱模式动力学
- 作者：Ribbat;Ch.;Bognar;S.;Sellin;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
87.Speed performance comparison of InP/InGaAs UTC photodiodes utilizing compositionally graded and exponentially doped photo-absorption layers

机译：InP / InGaAs UTC光电二极管使用成分渐变和指数掺杂的光吸收层的速度性能比较
- 作者：Dong-Hwan Jun;In-Ho Kang;Kyoung-Hwan Oh;Jeong-Seon Lee;Jong-In Song
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
88.Spin dynamics of the neutral and charged inp self assembled quantum dots

机译：中性和带电inp自组装量子点的自旋动力学
- 作者：Yugova;I.A.;Gerlovin;I.Ya.;Ignatiev;I.V.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
89.Spontaneous ordering in In/sub x/Ga/sub 1-x/P (X/spl infin/0.5) alloys: fir and raman spectroscopy studies

机译：In / sub x / Ga / sub 1-x / P（X / spl infin / 0.5）合金的自发有序：冷杉和拉曼光谱研究
- 作者：Baidus;N.V.;Biryukov;A.A.;Rolo;A.G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
90.Square- and racetrack-lasers as active components for monolithically integrated optoelectronic devices

机译：方形和跑道激光作为单片集成光电设备的有源组件
- 作者：Bach L.;Wolf A.;Reithmaier J.P.;Forchel A.;Gentner J.L.;Goldstein L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
91.State of the art of inp and gaas quantum cascade lasers

机译：Inp和Gaas量子级联激光器的技术发展水平
- 作者：Scamarcio;G.;Spagnolo;V.;Troccoli;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
92.Strain-compensated inp-based quantum cascade lasers with and without injector regions

机译：具有和不具有注入器区域的应变补偿基于inp的量子级联激光器
- 作者：Scarpa;G.;Ulbrich;N.;Bohm;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
93.Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP001 elongated quantum islands emitting at 1.55/spl mu/m

机译：自组装InAs / InP 001细长量子岛中的强载流子限制以1.55 / spl mu / m发射
- 作者：Salem;B.;Guillot;G.;Bremond;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
94.Structural and optical properties of lateral composition modulation in (GaP)/sub n/(InP)/sub n/ short period superlattice

机译：（GaP）/ sub n /（InP）/ sub n /短周期超晶格中横向成分调制的结构和光学性质
- 作者：Jin Dong Song;Jong Min Kim;Young-Woo Ok
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
95.Studies of In and N composition effects on the optical properties and surface morphology of GaInNAs quantum dots grown by RF plasma assisted MBE

机译：In和N组成对RF等离子体辅助MBE生长的GaInNAs量子点的光学性质和表面形态的影响
- 作者：Yew;K.C;Yoon;S.F.;Sun;Z.Z.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
96.Study of semi-insulating lec inp in china

机译：中国半绝缘lec inp的研究
- 作者：Niefeng Sun;Xiawan Wu;Youwen Zhao
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
97.Technology status and opportunities of VCSELs

机译：VCSEL的技术现状和机遇
- 作者：Choquette;K.D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
98.Temperature dependence of eigen-energies observed in optical transmittance of doped and undoped InGaAs/InAlAs MQWs

机译：掺杂和未掺杂的InGaAs / InAlAs MQW的光学透射率中观察到的本征能的温度依赖性
- 作者：Tanoue Y.;Tanaka K.;Kawano T.;Shibata K.;Kotera N.;Nakamura H.;Washima M.;Matsui M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
99.Temperature-dependent breakdown behavior in InP double reterojunction bipolar transistors (DHBTs) with InGaAs/InP composite collector

机译：具有InGaAs / InP复合集电极的InP双端接双极晶体管（DHBT）中与温度相关的击穿行为
- 作者：Hong Wang;Hong Yang;Radhakrishnan;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年
100.Theoretical study of dislocations in highly mismatched III-V epitaxial heterostructures

机译：高度错配的III-V外延异质结构中位错的理论研究
- 作者：Masuda-Jindo;K.;Kikuchi;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》 | 2002年