机译:隧道注入的低于290 nm的紫外发光二极管,具有2.8%的外部量子效率
Ohio State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Columbus, OH 43210 USA;
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Ohio State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Columbus, OH 43210 USA;
Ohio State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Columbus, OH 43210 USA;
Ohio State Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 W 19Th Ave, Columbus, OH 43210 USA;
Ohio State Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 W 19Th Ave, Columbus, OH 43210 USA;
Sandia Natl Labs, POB 5800, Albuquerque, NM 87185 USA;
Sandia Natl Labs, POB 5800, Albuquerque, NM 87185 USA;
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Ohio State Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 W 19Th Ave, Columbus, OH 43210 USA;
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机译:基于新型热激活延迟荧光发射体的外部量子效率接近30%的高效红色有机发光二极管
机译:通过更改外部量子效率接近25%且效率下降缓慢的有机发光二极管的取代基来优化基于嘧啶的TADF发射体的光电性能
机译:InGaN红色微发光二极管的尺寸无关峰外量子效率(> 2%),具有超过600nm的发射波长
机译:嵌入氧化物结构的365 nm垂直型紫外发光二极管的外部量子效率提高
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:有机发光二极管:通过采用由1,8-萘二亚胺杂交物组成的热活化延迟荧光发射器来实现橙红色有机发光二极管的近30%的外量子效率(ADV。Mater。5/2018)
机译:N掺杂Gaas(1-x)p(x)发光二极管外量子效率的压力研究。