机译:使用GaN缓冲层导电,透明(2→01) - β-Ga2O3的高质量III-氮化物膜
机译:α-(ALXGA1≤x)2O3单层和异质结构缓冲剂,用于通过雾化学气相沉积生长导电Sn掺杂α-Ga2O3薄膜
机译:氢后退火对深紫外发光二极管透明导电ITO / Ga2O3双层薄膜的影响
机译:新的缓冲层技术,使用底层外延A1N薄膜进行高质量GaN生长
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:紫外发光二极管用透明导电ITO / Ga2O3 / Ag / Ga2O3多层膜的电学和光学性质
机译:使用GaN缓冲层在透明,导电(2̅01)取向的β-Ga2O3上形成高质量的III氮化物膜