基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

摘要

介绍一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器(MR)制成的双限温度开关的温控机理和特性.实验表明:由InSb-In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关,具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区,其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围为-40～120℃,测温精度可达到±0.1℃.