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低温外延技术; 硅器件; UHV/CVD系统; 设计; 薄膜材料;
机译:UHV / CVD掺杂和生长薄Si外延层和SiGe
机译:通过UHV-CVD系统对光子器件应用等离子体增强的高质量GE缓冲器的低温外延
机译:通过超高压化学气相沉积(UHV-CVD)系统通过等离子增强,用于光子器件应用的高质量Ge缓冲液的低温外延
机译:通过新型UHV / CVD系统生长梯度SiGe膜
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:柔性器件:调制柔性自旋电子器件的纳米级外延锂铁氧体中弯曲耦合微波磁场的策略(Adv。Sci。12/2018)
机译:碳基电子学在sIC上生长石墨和金刚石薄异质外延层
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:Si 1-xy Sub> Ge x Sub> C y Sub>和Si 1-y Sub> C 的外延和多晶生长UHV-CVD在Si上形成y Sub>合金层
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