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叶志镇; 黄靖云; 赵炳辉; 卢焕明; 汪雷; 朱丽萍;
中国电子学会;
UHV/CVD系统; 薄外延层生长; 高频器件;
机译:UHV / CVD掺杂和生长薄Si外延层和SiGe
机译:Mohfet应用中Uhv-cvd在稀Sio_2上的Ge生长
机译:Si和Si:Ge合金的UHV / CVD生长:化学,物理和器件应用
机译:在硅上热退火的UHV-RTCVD生长的Si_(1-x)Ge_x外延层中的纳米点形成
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:在B(CH3)3存在下用氢等离子体处理通过RF-PECVD生长的非常薄的p型纳米晶Si膜
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:Uhv-stem研究硅上薄金属硅化物薄膜的成核和生长。进展报告,1990年6月12日 - 1992年12月31日
机译:外延层在薄支撑层上的外延层的制造,该薄支撑层是通过原子种类的注入在基板中生产的,用于光学,光电和电子应用
机译:使用原子种类注入制造外延层,以生产用于外延生长的薄支撑层,用于光学,光电和电子应用
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
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