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常素珍; 肖凌; 封慧峰;
河北普兴电子;
河北石家庄 050000;
掺Sb衬底; 厚度; 误差;
机译:MBE制造的100 mm GaSb衬底上的基于Sb的IR光电探测器外延片
机译:在c面Al_2O_3衬底上沉积掺Sb的氧化锌薄膜的综合研究
机译:衬底温度对MOCVD法制备掺Sb的ZnO薄膜光学性能的影响
机译:电子设备用GaN衬底和GaN外延片的最新状态
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:Fusb通过与其Ferriedoxin衬底的直接相互作用来激发外膜上的进口
机译:掺C的InP HBT外延片,速率为40 Gb / s
机译:使用Inalsb缓冲器在Gaas衬底上生长Insb用于磁场传感器应用
机译:掺钒SiC块状单晶的制备方法及掺钒SiC衬底
机译:形成同一元件的半导体元件,衬底和外延片,以及利用该元件的半导体器件
机译:具有多个mos元素的n通道存储器,包括在半导体衬底上的外延片
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