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王维军; 江泽流;
扫描电镜; 光刻机; 电子束光刻;
机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
机译:富勒烯辅助电子束光刻技术,用于InP薄膜波导器件中的图形改进和损耗减少
机译:在雄性白化大鼠中给予10nm或50nm金纳米颗粒(aUnps)对血液剖面,肝肾功能的影响
机译:低于10nm线宽的SEM计量学挑战
机译:ITRS 70和50NM技术节点的包含高K栅极电介质和金属栅电极的器件的制造和评估。
机译:X射线光刻掩模计量学:透射电子在SEM中用于线宽测量
机译:通过具有50nm线宽的X射线掩模的三电平电子束光刻制造,以及通过X射线纳米光刻复制
机译:具有50nm以下的材料层图案化线宽的机械精密器件的制造方法集成电路器件,光学器件和微机械
机译:导热性改良剂,其特征在于,含有厚度为10nm以上且0.2μm以下的氢氧化镁粒子,且通过sem法测定的长径比为10以上。树脂成型品的组成;挫败;热辐射;以及提高导热性的方法。
机译:电子束光刻技术的转印膜,允许编写高精度电路图形
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