750℃下用低压化学汽相沉积在Si上外延生长单晶SiC薄膜

摘要

在（１００）硅单晶衬底上，７５０℃外延生长了立方晶系（１００）晶向的ＳｉＣ薄膜，该生长温度是目前所报道的最低生长温度。采用一种简单的硅碳比为１：１的甲基硅烷（ＳｉＣＨ３Ｈ３）源材料和Ｈ２，用低压化学汽相沉积工艺生长了ＳｉＣ薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）、单晶和双晶ｘ射线衍射仪、红外吸收、椭球仪、厚度测量、四探针测量以及其它方法表征了生长的薄膜。ｘ射线测量结果表明，我们生长的薄膜结晶学质量与类似厚度的商用ＳｉＣ薄膜的质量相当。介绍了本研究中所用的新的生长装置和ＳｉＣ薄膜的性质。