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肖特基; 低开关损耗; 管系; 耐用性; SiC; 产品; 碳化硅; Inc;
机译:SiC肖特基势垒二极管的紧凑模型及其对结型势垒肖特基二极管的扩展
机译:ROHM SEMICONDUCTOR扩展了基于SIC的功率模块和SIC-MOSFET的程序:开关损耗显着降低
机译:碳化硅可降低肖特基二极管的开关损耗
机译:反并联SiC肖特基二极管存在下SiC MOSFET降低开关损耗的分析
机译:SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:降低电容和开关损耗的肖特基二极管结构及其制造方法
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