图形化衬底上GaN基高温缓冲层的研究

摘要

针对图形化衬底上GaN基高温缓冲层的生长条件的研究,用以改善因蓝宝石衬底与GaN材料之间存在大的晶格失配和热膨胀系数失配而产生的大量的位错密度,抑制缺陷向外延表面的延伸,提高了GaN材料的晶体质量和器件的内量子效率。