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胡莉婷; 季凌飞; 孙正阳; 林真源;
北京工业大学激光工程研究院 北京100124;
跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室 北京100124;
激光辐照; 4H-SiC; Al掺杂; 第一性原理计算; 二次离子质谱分析;
机译:Al掺杂的4H-SiC中的电子结构和磁性:第一性原理计算
机译:在二次离子质谱深度分析期间,在GaAs / Algaas中的电活性和氢钝化Zn在二次离子质谱深度分析中
机译:飞行时间质谱分析有机聚合物微球超高速撞击中的离子形成:与二次离子质谱,Cf-252质谱和激光质谱的比较
机译:通过散布探针和二次离子质谱法通过扩散探针和二次离子质谱法研究薄外延硅层的掺杂剂分布
机译:部分〜1。产生铯(+)和碘(-)离子的双离子源,用于二次离子质谱分析。第二部分用反射飞行时间质谱仪研究基质辅助激光解吸。
机译:使用离子液体基质增强的二次离子质谱分析神经元细胞类型的单细胞分析
机译:使用NASICON型材料的钠离子二次电池的第一性原理计算:正极,电解质,界面结构和离子扩散
机译:2H-,3C-和4H-siC多型体中点缺陷的第一性原理计算。
机译:液态金属离子源,二次离子质谱仪,二次离子质谱仪分析方法及其用途
机译:液态金属离子源,二次离子质谱仪,二次离子质谱分析程序及其应用
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