Al掺杂

摘要： 采用共沉淀法制备了Ni_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)(OH)_(2)前驱体,再通过高温固相法制备了不同Al掺杂量(0,1%,2%和3%)(摩尔分数)的LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2)(NCM622)三元材料。通过XRD、SEM和恒流充放电测试等对NCM622三元材料的物相结构、微观形貌和电化学性能等进行了分析。结果表明,所有NCM622三元材料的特征衍射峰基本一致,结晶度较高,Al的引入使NCM622三元材料晶体结构中的Li^(+)和Ni^(2+)的混乱程度降低;所有NCM622三元材料的尺寸基本都在100~150 nm左右,呈现出片状结构,掺入Al后,材料的颗粒尺寸减小且分布更均匀,这缩短了材料中Li^(+)的扩散,提升了材料的充放电循环性能;所有NCM622三元材料的电压平台基本一致,材料内部无相变发生,随着Al含量的增加,材料的初始放电比容量逐渐增加,且充放电曲线的交叉点有右移趋势,Al的引入降低了材料的极化,提高了材料在放电过程中的稳定性。当Al含量为3%(摩尔分数)时,材料的初始放电比容量达到最大,为179.6 mAh/g,经过30次循环后,容量保持率为96.83%,且极化程度最低,该掺杂比例下制备的NCM622三元材料的电化学性能最佳。

摘要： 试验采用高温固相法经二次烧结合成622三元正极材料。研究在烧结时间、烧结温度不变的情况下,探究不同Al掺杂量对622三元正极材料性能的影响。试验结果显示,Al添加量为0.5%,622三元正极材料的综合性能最佳。此时622三元正极材料的振实密度为2.62 g/cm^(3),粒度为10.58μm,容量为167.12 mAh/g,容量保持率为98.48%,达到最佳掺杂效果。试验结果对于622三元正极材料的改性具有一定的参考意义。

摘要： p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料,但由于工艺技术的制约,国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶衬底。本文使用物理气相传输(PVT)法制备了直径为4英寸(1英寸=2.54 cm)Al掺杂的p型4H-SiC单晶衬底。通过KOH腐蚀表征样品位错密度,使用高分辨X射线衍射(HRXRD)表征其晶体质量,利用拉曼光谱扫描确定其晶型,采用非接触式电阻测试仪测试其电阻率。结果表明,衬底整体位错密度较低,结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω·cm。通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC及Al元素掺杂后样品的体系进行能带结构、电子态密度的计算。结果表明Al掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p型半导体的特征。研究结果为大规模生产高质量、低电阻的p型4H-SiC衬底提供思路。

摘要： 二硼化锆(ZrB_(2))具有优异的电学性能、热稳定性和力学性能,广泛应用于微电子产品和高温陶瓷领域,采用元素掺杂的方法可以对其成分和微观组织结构进行调控。采用磁控共溅射技术在Si(100)基底上制备了不同Al含量的ZrB_(2)薄膜,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射和四点探针仪分析了Zr-Al-B薄膜的化学成分、微结构和电学性能。研究结果表明:铝掺杂会影响硼化锆薄膜的成分和微观结构,进一步影响其电学性能。不同Al溅射功率下制得的薄膜表面平整,结构致密且为多晶结构;随着Al/Zr原子比的增加,薄膜结构从纯ZrB_(2)晶相转变为ZrB_(2)和Al_(2)O_(3)复合相;薄膜电阻率呈现先降低后上升趋势,电阻率最小为0.027Ω∙cm,表明掺入少量Al可以提高硼化锆薄膜的电学性能。

摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa1-x Alx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响.结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规则.在整个研究范围内,CoFeCrGa1-x Alx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金均为自旋零带隙半导体,随着x的增加,自旋向下能带中费米面从价带顶向导带方向移动,带隙宽度逐渐增加,当x=0.75时,费米面位于带隙中间,CoFeCrAl0.75 Ga0.25在系列合金中半金属稳定性最佳.此外,当受到一定程度四方形变时,CoFeCrAl0.75 Ga0.25仍能保持自旋零带隙半导体特性,有望应用于自旋电子器件.

摘要： 尽管碳纳米管(CNT)具有优异的结构和功能特性,但是纯的碳纳米管在应用上还受到很多限制.论文基于密度泛函理论的第一性原理,利用掺杂改性的方法研究与分析Al、N掺杂对(10,0)单壁碳纳米管(SWCNT)电子结构和光学性质的影响,从理论上探讨金属和非金属掺杂改变(10,0)SWCNT电子结构和光学性质的微观机理.研究结果发现,Al和N掺杂后碳纳米管的可见光吸收范围都增加了,且Al掺杂碳纳米管的光吸收范围比N掺杂碳纳米管的大,为开发新的碳纳米管复合材料及拓宽其在工业上的应用提供理论指导.

摘要： 使用传统固相法制备金红石型二氧化钛样品,研究了Al掺杂对二氧化钛晶粒生长的影响。通过XRD、SEM/TEM以及UV-VIS对二氧化钛样品进行表征。试验表明,Al掺杂样品符合固溶体掺杂的基本理论,晶体生长同样遵守晶面生长法则BFDH和PBC理论,当Al^(3+)迁移至{110}和{100}晶面上时,晶粒呈细长条形;迁移至{111}和{001}晶面上时,晶粒难以长大,呈小晶粒。

摘要： 使用传统固相法制备金红石型二氧化钛样品,研究了Al掺杂对二氧化钛晶粒生长的影响.通过XRD、SEM/TEM以及UV-VIS对二氧化钛样品进行表征.试验表明,Al掺杂样品符合固溶体掺杂的基本理论,晶体生长同样遵守晶面生长法则BFDH和PBC理论,当Al3+迁移至{010}和{100}晶面上时,晶粒呈细长条形;迁移至{111}和{001}晶面上时,晶粒难以长大,呈小晶粒.

摘要： 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响。结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规则。在整个研究范围内,CoFeCrGa_(1-x)Al_(x)(x=0、0.25、0.5、0.75)合金均为自旋零带隙半导体,随着x的增加,自旋向下能带中费米面从价带顶向导带方向移动,带隙宽度逐渐增加,当x=0.75时,费米面位于带隙中间,CoFeCrAl0.75Ga0.25在系列合金中半金属稳定性最佳。此外,当受到一定程度四方形变时,CoFeCrAl0.75Ga0.25仍能保持自旋零带隙半导体特性,有望应用于自旋电子器件。

摘要： 水系锂离子电池具有优良的安全性能和高离子导电性等优点,得到了广泛研究.LiMn2O4材料在水系锂离子电池中较差的循环稳定性使其应用受到限制.为了改善这一缺陷,以乙炔黑为模板,采用简单的高温固相法合成了Al掺杂的LiMn2O4材料(LiMn1.9Al0.1O4),并应用于水系锂离子全电池中.实验结果表明,在0.1 A/g的电流密度下,LiMn2O4材料放电比容量高达125.5 mA·h/g,略高于LiMn1.9Al0.1O4材料的比容量(121.6 mA·h/g).在0.1 A/g电流密度下,经200次循环LiMn1.9Al0.1O4材料的容量保持率(90％)高于LiMn2O4材料(78％).将电流密度提升到1 A/g经500次循环后LiMn1.9Al0.1O4和LiMn2O4材料的容量保持率分别为88％和57％.上述结果表明Al掺杂的锰酸锂材料在水系锂离子电池中的循环稳定性以及倍率性能均有明显提高,说明Al的掺杂能显著提升锰酸锂正极材料的结构稳定性,并且能够缓解Mn的溶解和抑制Jahn-Teller效应,改善循环性能.

摘要： 分别用热物理法制备ZnO、掺Al/Zno和光化学反应沉积制备掺Al/ZnO的纳米粉体材料,采用XRD,TEM等手段研究了ZnO超微粒子结构与形貌.在Al掺杂ZnO纳米晶的水相体系中,通过吸光度、脱色率的测定证实了Al掺杂有效的改善了ZnO对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.Al掺杂ZnO纳米晶较普通氧化锌有更好的光催化活性.效果最好的是热物理法掺Al/ZnO对亚甲基蓝的降解.

摘要： 分别用热物理法制备ZnO、掺Al/Zno和光化学反应沉积制备掺Al/ZnO的纳米粉体材料,采用XRD,TEM等手段研究了ZnO超微粒子结构与形貌.在Al掺杂ZnO纳米晶的水相体系中,通过吸光度、脱色率的测定证实了Al掺杂有效的改善了ZnO对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.Al掺杂ZnO纳米晶较普通氧化锌有更好的光催化活性.效果最好的是热物理法掺Al/ZnO对亚甲基蓝的降解.

摘要： 分别用热物理法制备ZnO、掺Al/Zno和光化学反应沉积制备掺Al/ZnO的纳米粉体材料,采用XRD,TEM等手段研究了ZnO超微粒子结构与形貌.在Al掺杂ZnO纳米晶的水相体系中,通过吸光度、脱色率的测定证实了Al掺杂有效的改善了ZnO对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.Al掺杂ZnO纳米晶较普通氧化锌有更好的光催化活性.效果最好的是热物理法掺Al/ZnO对亚甲基蓝的降解.

摘要： 分别用热物理法制备ZnO、掺Al/Zno和光化学反应沉积制备掺Al/ZnO的纳米粉体材料,采用XRD,TEM等手段研究了ZnO超微粒子结构与形貌.在Al掺杂ZnO纳米晶的水相体系中,通过吸光度、脱色率的测定证实了Al掺杂有效的改善了ZnO对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.Al掺杂ZnO纳米晶较普通氧化锌有更好的光催化活性.效果最好的是热物理法掺Al/ZnO对亚甲基蓝的降解.

摘要： 分别用热物理法制备ZnO、掺Al/Zno和光化学反应沉积制备掺Al/ZnO的纳米粉体材料,采用XRD,TEM等手段研究了ZnO超微粒子结构与形貌.在Al掺杂ZnO纳米晶的水相体系中,通过吸光度、脱色率的测定证实了Al掺杂有效的改善了ZnO对亚甲基蓝(MB)的光催化降解性能.Al掺杂ZnO纳米晶较普通氧化锌有更好的光催化活性.效果最好的是热物理法掺Al/ZnO对亚甲基蓝的降解.

摘要： 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

摘要： 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

摘要： 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

摘要： 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

摘要： 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.

摘要： 本发明涉及一种制备高掺杂浓度（20mol%）Al掺杂ZnO纳米粉体的方法。该方法采用Zn(NO

摘要： 本发明涉及在1200°C下煅烧5至24小时后孔体积≥0.5ml/g、BET表面积大于35m2/g的有掺杂或无掺杂氧化铝。本发明还涉及制备上述氧化物的方法，包含以下步骤：a.制备一份含共掺质(可选)的铝盐水溶液，b.用过氧化氢处理上述水溶液，c.用碱沉淀出氧化铝，然后d.对氧化铝进行过滤、干燥和煅烧。

摘要： 本发明公开了一种Al、Zr共掺杂的超高镍三元单晶材料的简便制备方法，本发明通过采用硝酸盐，有机络合剂与硝酸铵混合体系的低温燃烧反应，实现了超高镍三元单晶材料的制备与Al、Zr元素的原位共掺杂，与现有的制备高镍层状正极材料的方法相比，本发明方法操作简单，引燃温度低，并且大量氧化剂硝酸铵的使用促进了燃烧反应的进行，可以避免前驱体低温段的预烧处理，节约能耗，并且剧烈的燃烧反应和高温煅烧使单晶材料晶体生长充分，结构稳定性强，综合改善了超高镍三元正极材料的电化学性能。

摘要： 本申请公开了掺杂Al2O3到花岗岩固化基材提高高放废物固溶度的方法，包括以下步骤：1)将Al2O3粉体、花岗岩粉体和锕系废物粉体混合后加入无水乙醇研磨，得到混合物；2)对所述混合物进行干燥，得到干燥混合物；3)将所述干燥混合物置于石墨模具中，通过烧结装置进行烧结，达到设定的烧结温度后按照预设的保温时间进行保温，保温完成后冷却，得到花岗岩固化体。本申请的方法，操作简单，通过在花岗岩固化基材上掺杂Al2O3能够有效提高高放废物的固溶度。

摘要： 本发明公开了一种含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池包括由下至上依次设置的透明导电衬底层、电子传输层、金属卤化物钙钛矿吸光层和背电极层，电子传输层从下至上由籽晶层、Al掺杂ZnO纳米棒阵列层和钝化层构成。制备方法包括在透明导电衬底层上制备籽晶层，在籽晶层上用电化学沉积法制备Al掺杂ZnO纳米棒阵列层，电压控制在‑1.45V～‑1.55V，沉积温度保持在80°C±3°C，沉积时间控制在10min～30min，然后制备钝化层、金属卤化物钙钛矿吸光层和背电极层，即得电池，相比于现有技术，该电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率均有大幅度提高。

摘要： 本申请公开了一种Ti‑5Al‑5Mo‑5V‑3Cr‑Zr合金掺杂Y提升钛合金性能的方法、Ti‑5Al‑5Mo‑5V‑3Cr‑Zr合金的零件及航空器，包括以下步骤：①取Ti‑55531合金粉末和钇粉；②将Ti‑55531合金粉末和钇粉在球磨机中球磨，得球磨后的混合合金粉末，其中，0<钇掺杂量<2wt％；③将球磨后的混合合金粉末装填入模具后放入SPS烧结成型。本申请钛合金致密度达到了99.98％，拉伸强度为1200MPa，延伸率为7.6％。

摘要： 本发明属于薄膜材料技术领域，涉及碳基薄膜材料技术领域，具体涉及一种Al纳米晶掺杂四面体非晶碳导电薄膜及其制备方法和应用。本发明的Al纳米晶掺杂ta‑C导电薄膜为Al纳米晶镶嵌的四面体非晶碳母相结构，由Al金属过渡层、Al梯度含量掺杂ta‑C中间层和Al掺杂的ta‑C层组成，薄膜中的Al掺杂含量为14.0at.％～39.6at.％；所述薄膜采用磁过滤电弧及磁控溅射复合沉积技术在金属基底上沉积得到。本发明的Al纳米晶掺杂ta‑C薄膜具有高sp

摘要： 本发明提出了一种掺杂Al3+的CsPbBr3量子点玻璃陶瓷及其制备方法，属于功能玻璃技术领域。该玻璃由如下摩尔百分比的原料组成：P2O58‑23mol％，Na2O 2‑11mol％，K2O 0‑10mol％，ZnO 7‑16mol％，Al2O31‑30mol％，B2O320‑65mol％，Cs2O 3‑14mol％，PbBr21‑8mol％，NaBr 1‑10mol％。本发明掺杂Al3+的CsPbBr3量子点玻璃陶瓷具有高的光产量、短的衰减寿命以及高的稳定性，增加了该CsPbBr3量子点玻璃陶瓷用于制备白光发光二极管、照明等领域和成为新一代闪烁材料的可能性。

摘要： 本发明公开了一种Al掺杂的富镍正极单晶材料的制备方法，该方法通过控制多次不同球磨处理方式，解决了直接球磨方式中因为原料带结晶水而混合不均一的问题，通过控制连续多次煅烧方式，调控锂含量参数和煅烧时间，最终可以制备出层状结构良好，结晶度高且具有优异电化学性能的Al掺杂的富镍正极单晶材料。通过Al掺杂，不仅可以显著减少富镍正极单晶颗粒的开裂，有效抑制富镍材料在电化学循环过程中的结构退化，而且也能明显减少表面相变程度，在表界面方面同样起着积极的作用。该方法操作简单，成本低廉，适合大规模工业化生产性能优异的Al掺杂正极材料。

摘要： 本发明涉及包覆型Al、F共掺杂单晶锰酸锂正极材料及其制备方法和应用，属于电池正极材料制备技术领域。制备方法包括以下步骤：先通过行星球磨的方式把掺杂元素Al和F引入β‑MnO2中，烧结生成掺杂的β‑MnO2，再把掺杂的β‑MnO2、锂源和包覆剂混合进行二次烧结，得到所述单晶锰酸锂正极材料。本发明通过采用特定的元素对锰酸锂进行掺杂和包覆，可以稳定锰酸锂正极材料的晶体结构，抑制Mn的溶解和活性物质与电解液之间的副反应，从而改善单晶锰酸锂的比容量、首充和循环性能。