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刘涛; 陈刚; 黄润华; 柏松; 陶永洪; 汪玲; 刘奥; 李赟; 赵志飞;
宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所;
4H型SiC; 垂直沟道结型场效应晶体管; 沟槽刻蚀;
机译:使用Sentaurus TCAD模拟设计和分析常导4H-sic垂直结场效应晶体管(VJFET)
机译:常断型4H-SiC垂直结场效应晶体管高击穿电压分析的仿真模型方法
机译:1530V,16.8mΩ·cm〜2,4H-SiC常关垂直结型场效应晶体管
机译:3.1kV / 10A 4H-SIC结障肖特基二极管的制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于温度传感器的碳化硅结型场效应晶体管的特性建模和设计参数辨识
机译:基于4H-SiC的结型场效应晶体管(JFET)的结构和电气特性
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。
机译:制造结型场效应晶体管的方法和结型场效应晶体管本身
机译:结型场效应晶体管,结型高电子迁移率场效应晶体管及其制造方法
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
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