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高玉竹; 龚秀英; 陈涌海; 吴俊;
同济大学电子与信息工程学院;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院上海技术物理研究所;
InAsSb/GaAs熔体外延(ME); 禁带宽度; 电学性质;
机译:截止波长为12μm的熔融外延生长InAs_(0.04)Sb_(0.96)层的电学性质
机译:研究在GaAs上生长的InAs_(0.5)Sb_(0.5)外延层中InSb和InAsSb分级缓冲层的影响(00 1)
机译:热壁外延生长Cd0.96Zn0.04Te / GaAs的生长和应变研究
机译:高质量的Inas_(0.04)SB_(0.96)/ GaAs单晶,由熔体外延生长12μm的截止波长
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:(100)Cd \(_ {0.96} \)Zn \(_)上的分子束外延生长和本征和外在掺杂(100)Hg \(_ {0.8} \)Cd \(_ {0.2} \)Te的评估{0.04} \)Te
机译:低压LEC生长Gaas时磁场辅助熔体稳定与传热控制的研究进展
机译:通过从GaAs熔体中拉出来生长GaAs单晶的设备
机译:从GaAs熔体中拉出生长GaAs单晶的方法
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