截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长

摘要

为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的p型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、Vander Pauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77K下测得,载流子浓度为9.18×1016cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1120cm2.Vs-1.