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谢伦; 高宏刚; 陈斌; 曹健林; 王建明; 刘琳;
中国科学院长春光学精密机械研究所;
中国科学院物理研究所;
超精密抛光; 表面粗糙度; LiGaO2; 晶体; 氮化镓;
机译:用于高科技零件的超精密抛光技术-消除应力和超精密抛光:带包装/抛光材料的超精密抛光
机译:用于高科技零件的超精密抛光技术-消除应力和超精密抛光:晶体的超薄化和超精密抛光
机译:用于高科技零件的超精密抛光技术-应力消除和超精密精加工:晶体晶片的超精密抛光
机译:KDP晶体微细水雾微滴定超精密抛光的实验研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:水溶性超精密抛光法加工的磷酸二氢钾(KDP)光学晶体的激光损伤
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:GaN晶体和GaN晶体衬底的制造方法,通过该方法获得的GaN晶体和GaN晶体衬底以及包括该方法的半导体器件
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