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日本东北大学; 三菱化学公司; 晶体生长炉; 氮化镓; 半值宽度; 对称面; 基板; 镶嵌性;
机译:单晶基板的精密加工技术,用于光电子 - 超精密CMP评价和蓝宝石,氮化镓和碳化硅基材的表面损伤
机译:氮化镓单晶基板的制造技术
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:低电子能量阴极发光研究抛光和蚀刻对单晶氮化镓镓光学性能的影响
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:晶体生长方法的制造方法以及单晶氮化镓基板和单晶氮化镓的单晶氮化镓基板
机译:氮化镓薄膜模板基板,氮化镓薄膜模板基板和氮化镓薄膜单晶的制造方法
机译:由此获得块状单晶含镓氮化物的基板的制造方法及其装置,以及块状单晶含镓氮化物的基板。
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