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张通和; 吴瑜光; 肖志松; 刘安东;
北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;
Er离子注入硅,SiO2,金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源,溅射,深度剖面分布;
机译:通过硅离子注入在SiO2中形成Si纳米颗粒:能量和能量密度对尺寸分布和SiO2组成的影响
机译:1.54μm光致发光对磁控溅射沉积的掺Er富Si SiO2薄膜中过量Si的依赖性
机译:硅中氮的等离子体浸没离子注入:在热和溅射作用下形成SiO2,Si3N4和应力层
机译:使用电场加速和优化用于半导体材料改性的激光产生离子流,将Ge和Si离子注入和溅射到SiO2衬底中
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:HfO2 / SiO2叠层隧道电介质的SiN薄膜中离子注入能量对Ge纳米晶体合成的影响
机译:Er3 +掺杂BaO - siO2玻璃中Ba2 +和Er3 +空间分布同步对Er3 +红外荧光的影响
机译:溅射铌硅化物在siO2,si3N4和N +多晶硅上的薄膜特性
机译:用更高难度的等离子体设备测量选择性高的SIO2对SIO2的影响
机译:从外部添加MoSi22wt%SiO2 / B Mo5Si35wt%SiO2 / MoNbSi三元合金三层罐头Nb基本合金及其
机译:MoSi2-2WT%SiO2 / B添加的Mo5Si3-5WT%SIO2 / Mo-Nb-Si三元合金三层覆盖Nb基合金及其制造方法
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