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刘海旭; 闫艳花; 侯琼琼; 王肖珩; 孟凡杰; 孙甲明;
厦门大学;
浙江大学;
Si、B离子; Er掺杂SiO2MOS; 电致发光器件;
机译:ER3 + / Yb3 +共掺杂SiO2-Al2O3-AlF3-Gd2O3-Na2O玻璃Er3 + / Yb3 +共掺杂SiO2-Al2O3-AlF3-Gd2O3-Na2O玻璃效应对升压和下转化发光性能的影响
机译:Er3 +,nc-Si与非辐射中心的耦合对Er3 +掺杂的nc-Si / SiO2薄膜光致发光的影响
机译:CE3 +和ER3 +掺杂和CE3 + -ER3 +编排的发光和结构分析CA3SC2SI3O12 Garnets:掺杂浓度在能量转移过程中的影响
机译:基于ER-掺杂Si纳米单元的电致发光器件
机译:优化用于平板显示器的稀土掺杂氮化镓电致发光器件。
机译:通过离子注入研究氢化轻掺杂B掺杂金刚石的低电阻率
机译:在1.5μm的ER掺杂厚SiO层和ER-掺杂SiO / SiO2多层的发光效率
机译:离子注入和mBE生长的Er掺杂Gaas和al(x)Ga(1-x)as的发光研究。
机译:ha or fa er GN ing S mede LP AO basis av oxidations fa er GAE Mn en.
机译:ha or fa er GN ing S mede LP AO basis av oxidations fa er GAE Mn en
机译:SIMOX半导体结构,例如晶片,包括硅衬底,通过离子注入在衬底上产生的掺杂玻璃层以及衬底上的硅层
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