基于模型数据库对半导体线宽关键尺寸的蒙特卡罗模拟

摘要

cqvip:为准确测量半导体线宽,基于电子固体相互作用理论和固体中电子的传输机制,采用蒙特卡罗模拟方法,深入研究了模型数据库方法在半导体线宽关键尺寸测量中的应用。以Si为样品,采用有限元网格法构建了单层梯形样品结构、双层梯形样品结构和双圆角矩形样品结构等复杂形貌的计算模型,研究了顶宽、边墙角及高度等几何参数和不同电子束入射条件对二次电子线扫描信号曲线的影响。结果表明,模型数据库方法在处理关键尺寸扫描电子显微镜中二次电子信号的边缘效应问题时优于经验方法。