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深亚微米/纳米半导体器件蒙特卡罗模拟

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蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡罗器件模拟的基本流程,物理模型和在深亚微米/纳米时雷特别考虑的问题.并给出了利用我们自主开发的蒙特卡罗器件模拟平台对肖特基二极管(SBD)和肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的一些模拟结果.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|455-459|共5页
会议地点昆明
作者
杜刚; 刘晓彦; 孙雷; 韩汝琦;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
半导体器件; 蒙特长罗法; 深亚微米/纳米器件; 器件特性; 器件模拟;

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