二次电子

摘要： 分别对裸的直玻璃管和外壁与出入口两端面涂导电银胶的直玻璃管进行了低能电子穿透实验.穿透电子的倾角分布显示,穿透电子强度随倾角增大而减少,并且穿透倾角不会超过玻璃管的几何张角.还测量了玻璃管在倾角为-0.2°时的充电过程.对于裸玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布有显著的振荡现象.整体来看,穿透率随时间先下降后上升,最后在某个平均值附近振荡;角分布随穿透率变化同步变化,先向正角度移动再向负角度移动,最后在玻璃管的倾角附近振荡.对于涂导电胶的玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布稳定变化.穿透率随时间先下降后上升最后平稳,角分布随时间先向负角度移动再向正角度移动,最后在玻璃管倾角附近稳定.通过模拟电子与SiO;材料的碰撞过程,提出了电子在裸玻璃管和涂导电胶玻璃管中的充电过程的物理图像.该物理图像能很好地解释电子在裸玻璃管和涂导电胶的玻璃管中充电过程的实验结果.最后,依据实验结果和物理图像给出了低能电子在玻璃毛细管中稳定输运的条件.

摘要： 利用扫描电镜对不锈钢板与玻璃板激光焊接样品不经镀膜直接进行显微观察。扫描电镜分别梯度设置一系列一次电子加速电压与E-T二次电子探测器前端栅网上的一系列偏压,观察样品表面荷电现象的变化。结果表明:在同样的加速电压下,上述栅网偏压越低,样品表面的荷电现象越弱,当栅网偏压降低至足够低时荷电现象消失。另外,在加速电压越低时,刚好足够令荷电现象消失的栅网偏压越高,此时电镜条件有利于图像质量的改善。对上述栅网偏压对荷电现象的影响机理给出了解释——栅网偏压影响探测器接收二次电子与背散射电子数量的比例,进而影响荷电现象的轻重。

摘要： 二次电子发射系数(secondary electron yield,SEY)的抑制对提高空间大功率微波部件的微放电阈值、降低粒子加速器发生电子云效应的风险等具有重要意义。针对现有圆柱形柱状阵列SEY抑制方法,未考虑实际加工工艺可能导致柱体形貌偏差,进而影响SEY抑制效应的问题,结合二次电子发射唯象概率模型和电子运动轨迹射线追踪法,研究了圆形、方形、圆锥形、截断圆锥形、方锥形、沙漏形及螺纹形柱状阵列的SEY。模拟结果表明:与理想圆柱形柱状阵列相比,方形、方锥形、螺纹形柱状阵列的SEY抑制效应与圆柱阵列基本相同(差异小于~6%),而其余几种形状的柱状阵列的SEY抑制效应略逊于理想圆柱阵列。因此,从SEY抑制效应角度看,圆柱形柱状阵列具有较好的工艺容差性能。研究结果为柱状阵列结构在SEY抑制领域的工程化研究与应用提供了参考。

摘要： 航天器的工作离不开大功率信号的传输,而微放电效应是严重影响星载微波部件性能和安全的瓶颈问题之一,消除微放电效应可称得上是大功率设计的必经之路,因此大功率微波部件在随卫星发射之前需要进行严格的微放电测试验证。欧洲空间标准化组织在2003年的系列标准中首次添加了微放电检测部分,建立起微放电分析和检测的大纲雏形,经过数年的技术发展,微放电手册版本更新修订,不断完善分析检测方法,相关影响因素、操作流程及注意事项。以欧洲最新微放电手册为例,介绍了微放电相关技术的进展,列举了常用的微放电设计分析方法,微放电检测方法和测试流程,同时介绍了二次电子的检测部分,可为微放电相关研究提供参考借鉴。

摘要： 以JSM-7900F型场发射扫描电子显微镜为例,讨论二次电子和背散射电子在形貌表征中的应用,利用该仪器配备的3种探头,通过优化实验条件,对具有纳米尺度的样品进行形貌观察,对比分析成像效果,并讨论各实验条件的影响因素.结果表明,利用背散射探测器结合电子束减速模式可对玻璃表面几纳米的颗粒成像,图像信噪比较高,成像效果优于高分辨模式即高位电子探头,拓展了背散射电子在高分辨成像中的应用.

摘要： 在合肥先进光源(HALF)建设中,由低温超导材料组成的真空部件被大量使用,尤其是超导高频腔.超导腔以高加速梯度、低束流阻抗、高无载品质因数和低运行成本等特点,成为21世纪国际上拟建的大型加速器的首选.而超导腔和低温真空室内表面的二次电子发射可能会引发电子云(EC)现象.超剂量的二次电子倍增功率沉积会引起低温区域热负载增加、超导腔失超等现象,因此降低超导高频腔内二次电子发射成为合肥先进光源设计过程中的巨大挑战.在常温材料二次电子产额(SEY)测试系统的基础上,作者自主研发设计低温样品架结构,使液氦流经样品台并通过热传导冷却样品,计算漏热来反推所需要的制冷量和液氦的消耗速率.在系统集成调试后进行降温性能测试,搭建了低温材料二次电子测试系统.

摘要： 扫描电子显微镜(SEM)真空腔室内原位加热实验,当温度超过700°C以后,受到热电子的影响,导致扫描电子显微镜扫描成像质量下降,具体表现为产生条纹状的亮纹.针对这一问题,开展对扫描电子显微镜二次电子探测系统及二次电子成像的分析与研究,详细论述了高温下干扰扫描电子显微镜二次电子成像质量的影响因素,并设计出扫描电子显微镜的二次电子成像调节以及图像修复系统.该系统可分为热电子检测、扰动数据获取、图像修复等部分,采用电位检测并实时修改亮纹对应位置的亮度,可实现对被热电子干扰的图像进行主动的亮度补偿,从而实现图像修复的目的.实验结果表明,当样品温度达到1000°C后扫描电镜仍能获得清晰的二次电子图像信息.

摘要： 采用对比测量方法研究了微通道板结构参数,即开口比、板厚、电极深度、离子阻挡膜、输入增强膜对其噪声因子的影响。结果表明,开口比增大,噪声因子减小;板厚增加,噪声因子增加;输入电极深度增加,噪声因子增加;离子阻挡膜会增加噪声因子;输入增强膜会降低噪声因子。其中,离子阻挡膜对噪声因子的影响最大,板厚对噪声因子的影响最小。微通道板的结构参数不仅对噪声因子产生影响,而且对其他参数,如增益、均匀性等性能均会产生影响。要降低微通道板噪声因子,比较可行的方法是将微通道板的开口比提高到68%,在此基础上,再在微通道板的输入端制作一层高二次电子发射系数的MgO2输入增强膜,使微通道板的噪声因子接近1,从而达到理想微通道板的水平。

摘要： MCP是一种超快响应的电子倍增器,在像增强器和光电倍增管中有广泛应用.本文首先介绍了MCP输入增强膜原理,之后利用真空镀膜方法在MCP的输入端镀制了一层具有高二次电子发射系数的膜层,并通过面电阻、XPS表征了膜层特性.通过试验,对比测量了镀膜MCP和常规MCP像增强器的信噪比、MCP增益以及像增强器分辨力,测量结果表明,镀膜MCP像增强器的信噪比、MCP增益较常规MCP像增强器的信噪比、MCP增益均有提高,但像增强器分辨力有所下降.常规MCP像增强器的信噪比平均为25.27、MCP增益平均为209.5、像增强器分辨力平均为61 lp/mm,而镀膜MCP像增强器的信噪比平均为29.53、MCP增益平均为450.5、像增强器分辨力平均为54.75 lp/mm.镀膜MCP像增强器信噪比和MCP增益提高的原因是MCP输入端镀膜以后,表面二次电子发射系数提高.另外由于MCP输入端表面二次电子发射系数提高,导致镀膜MCP输入端表面散射电子数量的增加,使得镀膜MCP像增强器分辨力有所下降.

摘要： 空间材料二次电子发射系数是决定卫星表面带电速率和充电平衡电位水平的重要材料特征参数.本文利用双麦克斯韦分布拟合地球同步轨道空间等离子体中高能电子和离子,并综合考虑材料的二次电子和光电子发射电流,建立航天器三维仿真模型,基于PIC(Particle in Cell)算法获得二次电子的密度和充电电流分布,以及卫星表面材料的充电电位,在此基础上分析材料的二次电子发射对卫星表面充电电位的影响.研究结果表明二次电子在卫星表面材料充电电位中占约为30～50％,且材料的高二次电子发射率可有效缓解航天器表面高充电电位.

摘要： 通过分析二次电子的能谱分布有助于二次电子发射理论的完善和发展,同时二次电子的能谱分析在表面检测领域有着广泛的应用.本文在建立二次电子发射系统的模型的基础上,采用Monte-Carlo的模拟方法仿真二次电子运动轨迹,并统计其能谱分布.探讨了能谱分布与一次电子的入射角度和入射能量的关系.

摘要： 通过分析二次电子的能谱分布有助于二次电子发射理论的完善和发展,同时二次电子的能谱分析在材料表层结构分析领域有着广泛的应用.但其相关测量结果受实验环境和实验仪器的影响很大,在实验中难以精确测量.在之前已经建立的二次电子发射系统的模型的基础上,采用Monte-Carlo的模拟方法仿真二次电子运动轨迹,并统计其能谱分布.探讨了能谱分布与一次电子的入射角度和入射能量的关系.在探讨二次电子能谱分布与入射能量和入射角度的关系时，发现了能谱上存在两个峰值，而且这两个峰值出现的位置一个固定在20eV左右，而另一个与入射能量相当，并且两个峰值的相对大小与入射能量和入射角度密切相关。这对于样品检测和粒子检测具有重要的应用意义。

摘要： 二次电子的发射在生产实践中有着广泛的应用,但其发射机理和运动过程复杂,所以本文建立了一个包含二次电子激发、在固体内部传输和最后逸出固体表面的二次电子系统模型.采用Monte-Carlo的模拟方法模拟真空中金属的二次电子的运动情况,并探讨其激发位置分布与入射能量之间的关系.给出了金属的二次电子的发射系数的仿真结果与实际结果的测量值比较.仿真结果表明:本文建立的二次电子系统模型能较好地反映实际情况.通过该模型仿真,可以定量得到二次电子发射系数与一次电子的入射能量的关系.

摘要： 中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成.当D+离子束轰击靶时,产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,靶压下降,从而影响中子产额,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制,并讨论了几种抑制方法.模拟计算表明,在法拉第圆筒的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生.

摘要： 以S-4800冷场发射扫描电子显微镜为例,介绍了扫描电子显微镜的原理、功能以及操作的相关知识.系统讲解了扫描电子显微镜的成像原理以及扫描电子显微镜的内部结构,阐述二次电子(Secondary Electron)和背散射电子(Backscattered Electron)的信息传达方式;介绍了扫描电子显微镜的主要功能,以及其在材料分析中的应用实例.

摘要： 本文主要介绍在多级降压收集极中应用处于第一收集极之后相对于第一收集极为高电位的附加电极，使得该电极与第一收集极之间的区域形成了一个捕获二次电子的电子阱，从而使该收集极在获得高效率的同时，具有较小的返流。此外，这个高电位电极的相邻两电极可以等电位工作，这将有利于行波管供电电源模块的简化。

摘要： 利用电磁离子模拟程序MAGIC对强流ECR(Electron Cyclotron Resonance)离子源引出作了模拟.模拟考虑了束离子与背景气体碰撞电离产生二次电子和慢离子,直观地给出了它们的空间分布图像.对径向空间电荷场、电流密度分布和束流发射度作了讨论.结果显示:引出区束流发射度增长迅速(约3倍),二次电子将部分中和空间电荷场,降低发射度.模拟图像还可以看出慢离子积累放电是引起负偏压打火的一个重要因素,文中对此问题做了阐述.

摘要： 利用Monte Carlo方法,本文模拟了具有Gauss分布特征的入射低能电子束斑在多元多层介质中的散射过程,得到了低能电子束在不同曝光条件下的能量沉积分布.将二次电子作用的影响考虑在内,分析了抗蚀剂的曝光过程并对抗蚀剂的曝光范围进行了修正.

摘要： 本文主要研究多级降压收集极的电子轨迹仿真并实现结构设计。在EGUN电子枪仿真程序的基础上，经过改进开发轴对称多级降压收集极计算软件，其电子运动为三维仿真。在Windows下开发了友好的用户界面和实现了仿真结果的图形化显示。向用户提供可选择的仿真控制参数，使得软件更加合理，使用更加方便。

摘要： 本发明涉及一种二次电子探测器(1)，尤其是扫描电子显微镜中的二次电子探测器。本发明的主题是提供一种二次电子探测器，其由位于探测器室(3)内的传感器(2)组成，一真空泵(10)与探测器室连接以使得该探测器室(3)内产生真空，该探测器室(3)接近所述传感器(2)的有效表面的壁被光阑封闭，形成对于气体的传输具有高阻抗、对于电子的传输具有低阻抗的特征。导电性隔栅(11)以铜屏幕的形式或具有孔(13)的卡普敦隔膜(12)的形式制造，并且其两面都有导电涂层(14，15)。上述导电性隔栅(11)在探测器室(3)外部覆盖有一输入隔栅(18)，其通常具有半球形状并且连接到80到150伏的低压源(19)。

摘要： 描述了一种多用途高效带电粒子检测器，其通过切换偏置电压测量二次离子、或者来自样品的二次电子(SE)、或者源自背散射电子的二次电子(SE3)。检测器结构的基本版本和两个分解版本使其能够用于下列检测组合：1.主要版本用于一起测量二次离子、或者来自样品的二次电子、或者由于碰撞除样品以外的部分的背散射电子引起的二次电子，或者不测量来自样品的二次电子；2.测量二次离子或者来自样品的二次电子(不测量SE3)；3.测量来自样品的二次电子和/或由碰撞除样品以外的物体的背散射电子导致的二次电子(不测量离子)。

摘要： 本发明公开了一种电子束二次电子采集装置及电子束设备。该电子束二次电子采集装置包括采集板、采样电路、信号调理电路和成像系统，所述采样电路的输入端与所述采集板电连接，所述采样电路的输出端与信号调理电路的输入端电连接，所述信号调理电路的输出端与成像系统电连接。该电子束二次电子采集装置可以降低废品率及提高焊接效率，以及降低加工成本，改善工人劳动强度等优点。

摘要： 本发明涉及用于形成可稳定地产生碱金属的光电面或二次电子放出面的碱金属发生剂等，该碱金属发生剂在根据入射光放出光电子的光电面或者根据入射电子放出二次电子的二次电子放出面形成中使用。尤其是，该碱金属发生剂至少包含以碱金属离子作为配对阳离子的至少一种钨酸构成的氧化剂和用于对前述离子还原的还原剂。此外，碱金属发生器至少备有上述碱金属发生剂和收容该碱金属发生剂的盒，在该盒上设置放出碱金属的蒸气的放出口。

摘要： 本发明涉及可以稳定地产生碱金属的用来形成光电面或二次电子发射面的碱金属发生剂等。该碱金属发生剂(1)用于形成对应于入射光而发射光电子的光电面，或者对应于入射电子发射二次电子的二次电子发射面。特别是，该碱金属发生剂(1)至少含有由以碱金属离子为配电离子的至少一种钒酸盐组成的氧化剂，和用来还原所述离子的还原剂。钒酸盐的氧化能力比铬酸盐的氧化能力弱，因此与还原剂的氧化还原反应比铬酸盐的情况进行得缓慢，容易控制反应速度。

摘要： 该发明涉及可以稳定生成碱金属的用于形成光电面或二次电子释放面的碱金属生成剂等。该碱金属生成剂(1)在对应于入射光释放光电子的光电面或对应于入射电子释放二次电子的二次电子释放面的形成中使用。特别是该碱金属生成剂(1)至少包括由以碱金属离子为平衡阳离子的至少一种钼酸盐构成的氧化剂和用于把所述离子还原的还原剂。由于钼酸盐比铬酸盐氧化能力弱，所以与还原剂的氧化还原反应与铬酸盐情况相比进行缓和，容易控制反应速度。

摘要： 本发明涉及一种二次电子探测器(1)，尤其是扫描电子显微镜中的二次电子探测器。本发明的主题是提供一种二次电子探测器，其由位于探测器室(3)内的传感器(2)组成，一真空泵(10)与探测器室连接以使得该探测器室(3)内产生真空，该探测器室(3)接近所述传感器(2)的有效表面的壁被光阑封闭，形成对于气体的传输具有高阻抗、对于电子的传输具有低阻抗的特征。导电性隔栅(11)以铜屏幕的形式或具有孔(13)的卡普敦隔膜(12)的形式制造，并且其两面都有导电涂层(14，15)。上述导电性隔栅(11)在探测器室(3)外部覆盖有一输入屏幕(18)，其通常具有半球形状并且连接到80到150伏的低压源(19)。

摘要： 一种二次电子探头，包括一多孔碳材料层，该多孔碳材料层由多个碳材料颗粒组成，该多个碳材料颗粒之间存在纳米级或微米级的间隙，该多孔碳材料层为一电子黑体。本发明还提供采用上述二次电子探头的二次电子探测器和扫描电子显微镜探测器。

摘要： 描述了一种多用途高效带电粒子检测器，其通过切换偏置电压测量二次离子、或者来自样品的二次电子(SE)、或者源自背散射电子的二次电子(SE3)。检测器结构的基本版本和两个分解版本使其能够用于下列检测组合：1.主要版本用于一起测量二次离子、或者来自样品的二次电子、或者由于碰撞除样品以外的部分的背散射电子引起的二次电子，或者不测量来自样品的二次电子；2.测量二次离子或者来自样品的二次电子(不测量SE3)；3.测量来自样品的二次电子和/或由碰撞除样品以外的物体的背散射电子导致的二次电子(不测量离子)。

摘要： 本实用新型的适用于二次电子发射系数智能测试的一次电子发射装置，包括电子枪、电源和电源控制模块；电子枪由分别套装在绝缘筒内且轴线重合的热阴极、调制极、加速极、一次聚焦腔和二次聚焦腔依次固定连接构成；电源包括灯丝电源、调制电源、加速电源、一次聚焦电源和二次聚焦电源，并分别与热阴极、调制极、加速极、一次聚焦腔和二次聚焦腔连接；电源控制模块包括D/A转换模块与PLC；PLC通过D/A转换模块与电源连接，以实现对电源电压的控制。本实用新型可实现随时控制电子发射的通断，保证发射的电子束径在极小的范围内，出射的电子能量可调节范围大，是固体材料二次电子发射系数智能测试装置的必要组成部分。